ELECTRODE STRUCTURE INCLUDING METAL AND HEAT DISSIPATION LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

The present invention relates to a semiconductor device comprising an electrode structure having a high limit allowable current and having a continuous current flow after a short circuit. The semiconductor device of the present invention comprises: a substrate; a first heat dissipation layer extending in a first direction on the substrate; and a metal layer extending in the first direction on the first heat dissipation layer, wherein a width of the first heat dissipation layer in a second direction crossing the first direction is greater than that of a width of the metal layer in the second direction, and the first heat dissipation layer, as a structure made up of carbon atoms, comprises at least one among a graphene, a nanotube, and a diamond structure. 본 발명은 높은 한계허용전류를 갖고, 단락 이후에 지속적인 전류 흐름을 갖는 전극 구조를 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 장치는 기판, 기판 상에, 제1 방향으로 연장되는 제1 열 분산층, 제1 열 분산층 상에, 제1 방향으로 연장되는 금속층을 포함하고, 제1 열 분산층의 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로의 폭은 금속층의 제2 방향으로의 폭보다 크고, 제1 열 분산층은 탄소 원자들로 이루어진 구조로서, 그래핀, 나노튜브, 및 다이아몬드 구조체 중 적어도 하나를 포함한다.