다층 PECVD TEOS 산화물 막 내의 결함들을 감소시키는 방법

예시적인 증착 방법들은 반도체 프로세싱 챔버의 프로세싱 영역 내에서 제1 전압으로 반도체 기판을 정전기적으로 척킹하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 증착 프로세스를 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 증착 프로세스는 반도체 프로세싱 챔버의 프로세싱 영역 내에 플라즈마를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 반도체 프로세싱 챔버 내에서의 플라즈마의 형성을 중단하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은, 중단과 동시에, 정전기 척킹의 제1 전압을 제2 전압으로 증가시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 반도체 프로세싱 챔버의 프로세싱 영역을 퍼징하는 단계를 포함할 수 있다. Exemplary deposition methods may include electrostatically chucking a semiconductor substrate at a first voltage within a processing region of a semiconductor processing chamber. The methods may include performing a deposition process. The deposition process may include forming a plasma within the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may include halting formation of the plasma within the semiconductor processing chamber. The methods may include, simultaneously with the halting, increasing the first voltage of electrostatic chucking to a second voltage. The methods may include purging the processing region of the semiconductor processing chamber.