MEASUREMENT APPARATUS AND METHOD FOR PREDICTING ABERRATIONS IN A PROJECTION SYSTEM

리소그래피 장치 내의 투영 시스템에서의 수차를 예측하기 위해 투영 시스템 가열 모델을 교정하는 방법으로서, 기판 테이블 상에 제공된 기판 상의 하나 이상의 노광 필드를 노광하도록, 투영 시스템을 통해 노광 방사선을 전달하는 단계, 및 상기 노광 방사선에 의해 초래되는, 상기 투영 시스템에서의 수차의 측정을 수행하는 단계를 포함하고, 제 1 수차 측정과 제 2 수차 측정 사이의 시간 기간은 상기 기판 상의 모든 노광 필드를 노광하는데 소요될 시간 기간보다 짧은, 투영 시스템 가열 모델 교정 방법. A method of calibrat...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SCHAAFSMA MARTIJN CORNELIS, DOWNES JAMES ROBERT, AKHSSAY MHAMED
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	리소그래피 장치 내의 투영 시스템에서의 수차를 예측하기 위해 투영 시스템 가열 모델을 교정하는 방법으로서, 기판 테이블 상에 제공된 기판 상의 하나 이상의 노광 필드를 노광하도록, 투영 시스템을 통해 노광 방사선을 전달하는 단계, 및 상기 노광 방사선에 의해 초래되는, 상기 투영 시스템에서의 수차의 측정을 수행하는 단계를 포함하고, 제 1 수차 측정과 제 2 수차 측정 사이의 시간 기간은 상기 기판 상의 모든 노광 필드를 노광하는데 소요될 시간 기간보다 짧은, 투영 시스템 가열 모델 교정 방법. A method of calibrating a projection system heating model to predict an aberration in a projection system in a lithographic apparatus, the method comprising passing exposure radiation through a projection system to expose one or more exposure fields on a substrate provided on a substrate table, making measurements of the aberration in the projection system caused by the exposure radiation, wherein the time period between measurements is less than the time period that would be taken to expose all exposure fields on the substrate.