Heterjunction solar cell method for fabricating the same and sputtering target used therefor

A heterojunction solar cell may include an electrode layer containing more than 0 wt% and less than 3 wt% of tin oxide, more than 0 wt% and less than 1 wt% of germanium oxide, and more than 96 wt% and less than 100 wt% of indium oxide. The electrode layer may have an average transmittance of 86 % or more and a reflectance of 13.2 % or less for light with a wavelength of 300 to 1200 nm. A sputtering target is used to deposit the electrode layer of the heterojunction solar cell and may include a sintered body containing more than 0 wt% and less than 3 wt% of tin oxide, more than 0 wt% and less than 1 wt% of germanium oxide, and more than 96 wt% and less than 100 wt% of indium oxide, and having an average grain size of 5 micrometers or more. The sputtering target may include one or more phases from In_2O_3, SnO_2, In_4Sn_3O_12, In_1.91Sn_0.05O_3, and In_1.91Sn_0.09O_3.05. Accordingly, a transparent conductive film that can maximize the efficiency of a solar cell can be provided. 이종접합 태양전지는, 0무게% 초과, 3무게% 이하의 산화주석과, 0무게% 초과, 1무게% 이하의 산화게르마늄과, 96무게% 이상, 100무게% 미만의 산화인듐을 포함하는 전극층을 포함할 수 있다. 전극층은, 300~1200nm 파장의 광에 대하여 86% 이상의 평균 투과율과 13.2% 이하의 반사율을 가질 수 있다. 스퍼터링 타겟은, 이종접합 태양전지의 전극층을 증착하는데 사용되고, 0무게% 초과, 3무게% 이하의 산화주석, 0무게% 초과, 1무게% 이하의 산화게르마늄 및 96무게% 이상, 100무게% 미만의 산화인듐을 포함하고, 결정립 크기가 평균 5 마이크로미터 이상인, 소결체를 포함할 수 있다. 스퍼터링 타겟은, In2O3, SnO2, In4Sn3O12, In1.91Sn0.05O3, In1.91Sn0.09O3.05 중 1개 이상의 상을 포함할 수 있다.