Method of manufacturing semiconductor device
The present invention provides a manufacturing method of a semiconductor device which can prevent defects in a pad structure forming process. According to the present invention, the manufacturing method of a semiconductor device comprises: a step of forming a mold stack alternately including a plura...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | The present invention provides a manufacturing method of a semiconductor device which can prevent defects in a pad structure forming process. According to the present invention, the manufacturing method of a semiconductor device comprises: a step of forming a mold stack alternately including a plurality of insulation layers and a plurality of sacrificial layers on a substrate; a step of sequentially patterning the mold stack to form a stair structure including a plurality of stairs connected to the plurality of sacrificial layers; a step of forming a first pre-pad stricture on the plurality of stairs of the stair structure, wherein the first pre-pad structure has a first sacrificial film and a second sacrificial film sequentially arranged on the plurality of stairs; a step of forming a first protective film on the upper surface of the first pre-pad structure by a plasma treatment; a step of etching the surface of the first pre-pad structure to remove the first pre-pad structure portion arranged on sidewalls of the plurality of stairs and form a trench between the sidewalls of the plurality of stairs and the first pre-pad structure; a step of forming a second protective film on the upper surface of the first pre-pad structure and the upper surface of the trench by a plasma treatment; a step of forming a second pre-pad structure on the plurality of stairs of the stair structure, wherein the second pre-pad structure has a third sacrificial layer and a fourth sacrificial layer sequentially arranged on the first pre-pad structure; and a step of removing the first pre-pad structure and the second pre-pad structure and forming a pad structure by filling a conductive layer in the removed space.
본 발명의 기술적 사상은 기판 상에 복수의 절연층과 복수의 희생층을 교대로 포함하는 몰드 스택을 형성하는 단계; 상기 몰드 스택을 순차적으로 패터닝하여 상기 복수의 희생층에 각각 연결되는 복수의 계단을 포함하는 계단 구조물을 형성하는 단계; 상기 계단 구조물의 상기 복수의 계단 상에 제1 예비 패드 구조물을 형성하되, 상기 제1 예비 패드 구조물은 상기 복수의 계단 상에 순차적으로 배치되는 제1 희생막 및 제2 희생막을 갖는, 제1 예비 패드 구조물을 형성하는 단계; 상기 제1 예비 패드 구조물의 상면에 플라즈마 처리에 의해 제1 보호막을 형성하는 단계; 상기 제1 예비 패드 구조물의 표면을 식각하여 상기 복수의 계단의 측벽 상에 배치되는 상기 제1 예비 패드 구조물 부분을 제거하고 상기 복수의 계단의 측벽과 상기 제1 예비 패드 구조물 사이에 트렌치를 형성하는 단계; 상기 제1 예비 패드 구조물의 상면과 상기 트렌치의 상면에 플라즈마 처리에 의해 제2 보호막을 형성하는 단계; 상기 계단 구조물의 상기 복수의 계단 상에 제2 예비 패드 구조물을 형성하되, 상기 제2 예비 패드 구조물은 상기 제1 예비 패드 구조물 상에 순차적으로 배치되는 제3 희생막 및 제4 희생막을 갖는, 제2 예비 패드 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 제1 예비 패드 구조물 및 상기 제2 예비 패드 구조물을 제거하고 상기 제거된 공간 내에 도전층을 채움에 의해 패드 구조물을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. |
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