SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND TEMPERATURE OCONTROL METHOD

The present invention relates to a substrate processing apparatus. More specifically, the present invention relates to a substrate processing apparatus which is able to collectively process a plurality of substrates. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing appar...

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Hauptverfasser: PARK SANG UK, LEE CHAN WOO, NOH JIN TAE, CHOI SUK LYONG
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention relates to a substrate processing apparatus. More specifically, the present invention relates to a substrate processing apparatus which is able to collectively process a plurality of substrates. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus comprises: a heater base in a plate shape, and having a penetrating hole penetrating in a vertical direction; a reaction pipe inserted into the penetrating hole of the heater base, and having an opening on a lower side; a cap flange opening/closing the opening of the reaction pipe; a boat supported on the cap flange by interposing a boat support unit, and being able to have a plurality of substrates arranged at intervals in a vertical direction; a main heater installed and supported on the heater base, and surrounding the reaction pipe; a sub heater installed under the main heater and supported by the heater base, and surrounding a lower side of the reaction pipe; a main heater control unit connected to the main heater and controlling the main heater to reach a main heater temperature set value; and a sub heater control unit connected to the sub heater and controlling the sub heater to reach a sub heater temperature set value. The sub heater control unit controls the sub heater so that the thickness map of a thin film deposited on the substrate can be a concave map. Therefore, a thickness deviation between thin films can be reduced. 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 복수의 기판을 일괄적으로 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시예는 판상이며, 상하를 관통하는 관통공이 형성되어 있는 히터 베이스; 상기 히터 베이스의 관통공에 삽입되며, 하부에 개구를 갖는 반응관; 상기 반응관의 개구를 개폐하는 캡 플랜지; 상기 캡 플랜지 상에 보트 지지부를 개재하여 지지되며, 상하 방향으로 간격을 두고 복수의 기판이 배치 가능한 보트; 상기 히터 베이스 상에 설치되어 지지되며, 상기 반응관을 둘러싸는 메인 히터; 상기 메인 히터 아래에 설치되어 상기 히터 베이스에 의해 지지되며, 상기 반응관의 하부를 둘러싸는 서브 히터; 상기 메인 히터와 연결되어 메인 히터 온도 셋팅값에 도달하도록 상기 메인 히터를 제어하는 메인 히터 제어부; 및 상기 서브 히터와 연결되어 서브 히터 온도 셋팅값에 도달하도록 상기 서브 히터를 제어하는 서브 히터 제어부;를 포함하며, 상기 서브 히터 제어부는, 상기 기판에 증착되는 박막의 두께 맵이 컨케이브(concave) 맵이 되도록 상기 서브 히터를 제어한다.