프로세스 챔버에서 이중 주파수 RF 전력을 사용하는 방법

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 이중 주파수, 상부, 측벽 및 하부 소스들을 사용하여 기판 및 챔버의 덮개의 표면 위에 두께가 3,000 Å보다 큰 탄소 막 층들을 증착하는 방법들에 관한 것이다. 방법은 챔버의 프로세싱 용적부에 가스를 도입하는 단계를 포함한다. 약 40 MHz 이상의 제1 주파수를 갖는 제1 무선 주파수(RF) 전력이 챔버의 덮개에 제공된다. 제2 주파수를 갖는 제2 RF 전력이 프로세싱 용적부 내의 기판 지지체에 배치된 바이어스 전극에 제공된다. 제2 주파수는 약 10 MHz 내지 약 40 MHz이다. 약 400 kHz 내지 약 2 MHz의 낮은 주파수를 갖는 추가적인 제3 RF 전력이 바이어스 전극에 제공된다. Embodiments of the present disclosure generally relate to methods for cleaning a chamber comprising introducing a gas to a processing volume of the chamber, providing a first radiofrequency (RF) power having a first frequency of about 40 MHz or greater to a lid of the chamber, providing a second RF power having a second frequency to an electrode disposed in a substrate support within the processing volume, and removing at least a portion of a film disposed on a surface of a chamber component of the chamber. The second frequency is about 10 MHz to about 20 MHz.