Parallel driveable gate drive circuit with overcurrent protection
The present invention relates to a parallel-drivable gate driving circuit including an overcurrent protection function, which can equalize the time delay when driving a power module connected in parallel, and can further protect a power semiconductor by including an overcurrent protection function....
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | The present invention relates to a parallel-drivable gate driving circuit including an overcurrent protection function, which can equalize the time delay when driving a power module connected in parallel, and can further protect a power semiconductor by including an overcurrent protection function. The gate driving circuit for driving a plurality of power modules connected in parallel with each other and separately including a power semiconductor, comprises: a plurality of lower driving unit circuits electrically connected to a plurality of power modules, respectively; and an upper driving unit circuit connected to the lower driving unit circuits to provide a control signal. The upper driving unit circuit is electrically insulated from the lower driving unit circuits. Therefore, a power semiconductor can be turned off in a short time.
본 발명은 병렬로 연결된 파워모듈의 구동시, 시간지연을 동일하게 할 수 있고, 더 나아가 과전류 보호 기능을 포함하여 전력반도체를 보호할 수 있는 과전류 보호기능을 포함하는 병렬구동 가능한 게이트 구동회로에 관한 것으로, 서로 병렬로 연결되고, 각각 전력반도체를 포함하는 복수의 파워모듈을 구동하는 게이트 구동회로에 있어서, 상기 복수의 파워모듈과 전기적으로 각각 연결된 복수의 하위 구동부 회로 및 상기 복수의 하위 구동부 회로와 연결되어 제어 신호를 제공하는 상위 구동부 회로를 포함하고, 상기 상위 구동부 회로는 상기 하위 구동부 회로와 전기적으로 절연된 것을 특징으로 한다. |
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