SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Embodiments of the present invention provide a semiconductor device comprising a reserve capacitor that can increase a surface area of a capacitor by disposing a pillar-shaped first electrode between a substrate and a second electrode; and a manufacturing method thereof. The reserve capacitor according to the present embodiment may comprise: a substrate; a first electrode of a pillar shape on an upper part of the substrate; a second electrode that covers a side surface and an upper part surface of the first electrode on an upper part of the substrate and the first electrode; and a dielectric layer interposed between the substrate, the first electrode, and the second electrode. 본 발명의 실시예들은 기판과 제2전극 사이에 필라 형상의 제1전극을 배치하여 캐패시터의 표면적을 증가시킬 수 있는 리저브아 캐패시터를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 실시예에 따른 리저브아 캐패시터는 기판; 상기 기판 상부에 필라 형상의 제1전극; 상기 기판 및 제1전극 상부에 상기 제1전극의 측면 및 상부면을 커버링하는 제2전극; 및 상기 기판, 제1전극 및 제2전극 사이에 개재된 유전층을 포함할 수 있다.