SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS

본 기술은, 촬상 화상의 열화를 억제하면서, 위상차 검출의 정밀도의 향상을 도모할 수 있도록 하는 고체 촬상 장치 및 전자 기기에 관한 것이다. 하나의 온 칩 렌즈에 대해 복수의 광전변환 소자를 형성한 화소를 포함하는 복수의 화소를 2차원형상으로 배열한 화소 어레이부를 구비하고, 화소 사이에 형성되는 화소간 분리부 및 화소간 차광부의 적어도 일방은, 그 일부가 화소의 중심을 향하여 돌기형상으로 나와 돌기부를 형성하고 있는 고체 촬상 장치가 제공된다. 본 기술은, 예를 들면 위상차 검출용의 화소를 갖는 CMOS 이미지 센서에 적용할 수 있다. The present technology relates to a solid-state imaging device and an electronic apparatus capable of improving the accuracy of phase difference detection while suppressing degradation of a picked-up image.There is provided a solid-state imaging device including: a pixel array unit, a plurality of pixels being two-dimensionally arranged in the pixel array unit, a plurality of photoelectric conversion devices being formed with respect to one on-chip lens in each of the plurality of pixels, a part of at least one of an inter-pixel separation unit formed between the plurality of pixels and an inter-pixel light blocking unit formed between the plurality of pixels protruding toward a center of the corresponding pixel in a projecting shape to form a projection portion. The present technology is applicable to, for example, a CMOS image sensor including a pixel for detecting the phase difference.