HOLLOW CATHODE DISCHARGE HCD SUPPRESSING CAPACITIVELY COUPLED PLASMA ELECTRODE AND GAS DISTRIBUTION FACEPLATE

A faceplate for a gas distribution system of a plasma processing chamber includes a faceplate body having a first surface, a second surface, and sides. A first plurality of holes in the faceplate body extend from the first surface to the second surface. At least some of the first plurality of holes...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	TUCKER JEREMY, AUGUSTYNIAK EDWARD
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A faceplate for a gas distribution system of a plasma processing chamber includes a faceplate body having a first surface, a second surface, and sides. A first plurality of holes in the faceplate body extend from the first surface to the second surface. At least some of the first plurality of holes have a first size dimension and a second size dimension on a plane parallel with the first surface. The first size dimension is placed horizontally with respect to the second size dimension. The first size dimension is smaller than the thicknesses of three plasma sheaths of the plasma generated by the plasma processing chamber. The second size dimension is larger than the double of the first size dimension. 플라즈마 프로세싱 챔버의 가스 분배 시스템을 위한 대면플레이트는 제 1 표면, 상기 제 1 표면 반대 편에 있는 제 2 표면 및 측면을 갖는 대면플레이트 바디를 포함한다. 상기 대면플레이트 바디 내의 제 1 복수의 홀들은 상기 제 1 표면으로부터 상기 제 2 표면으로 연장한다. 상기 제 1 복수의 홀들 중 적어도 일부는 상기 제 1 표면에 평행인 플레인에서 제 1 사이즈 치수 (dimension) 및 제 2 사이즈 치수를 갖는다. 상기 제 1 사이즈 치수는 상기 제 2 사이즈 치수에 대하여 가로 놓인다. 상기 제 1 사이즈 치수는 상기 플라즈마 프로세싱 챔버에 의해 생성된 플라즈마의 3 개의 플라즈마 시스 두께들보다 작다. 상기 제 2 사이즈 치수는 상기 제 1 사이즈 치수의 2 배보다 크다.