공작물을 분리하는 방법

본 발명은 바람직하게는 초단파 펄스 레이저의 초단파 펄스를 사용하여 실리콘을 절단하기 위해, 특히 바람직하게는 실리콘 웨이퍼에서 칩을 절단하기 위해, 레이저 빔(2)의 레이저 펄스(20)를 사용하여 분리 라인(10)을 따라 공작물(1)을 분리하는 방법에 관한 것으로서, 여기서 레이저 빔(2)은 빔 스플리터 광학 장치(62)에 의해 복수의 부분 레이저 빔(26)으로 분할되고, 부분 레이저 빔(26) 각각은 포커싱 광학 장치(64)에 의해 공작물(1)의 표면(12) 상으로 및/또는 체적 내에 포커싱되어, 부분 레이저 빔(26)은 분리 라인(10)을 따라 서로 옆에 서로 이격된 방식으로 배열되며, 여기서 레이저 펄스(20)를 분리 라인(10)을 따라 공작물(1)에 도입함으로써 재료가 제거되고, 부분 레이저 빔(26)은 반복적으로 분리 라인(10)을 따라 시작 위치로부터 편향량만큼 멀리 이동된 후 분리 라인(10)을 따라 시작 위치로 다시 이동되며, 상기 편향량은 2 개의 인접한 부분 레이저 빔(26) 사이의 거리(L)보다 작거나 또는 이와 같다. A method for separating a workpiece along a separation line by using ultrashort laser pulses of a laser beam includes splitting the laser beam, using a beam splitter optical unit, into a plurality of partial laser beams. Each partial laser beam is focused by a focusing optical unit onto a surface and/or into a volume of the workpiece so that the partial laser beams are arranged next to one another and spaced apart from one another along the separation line. The method further includes implementing material ablation in the workpiece along the separation line by introducing the ultrashort laser pulses into the workpiece. The partial laser beams are repeatedly moved away from an initial position along the separation line by a deflection value and are subsequently moved back into the initial position. The deflection value is less than or equal to a distance between two adjacent partial laser beams.