LASER ANNEALING APPARATUS AND LASER ANNEALING METHOD USING THE SAME

A laser annealing apparatus may comprise: a plurality of lasers; a laser controller which controls the lasers such that a plurality of laser beams generated at the lasers may be projected at timings different from each other; a beam mixer optical system which mixes the laser beams of which the projection timings are adjusted to output a processing beam; and a focus optical system which outputs the processing beam by adjusting the focus of the processing beam. The processing beam comprises: a first laser beam having a first pulse; a second laser beam having a second pulse which is delayed compared to the first pulse; and a third laser beam having a third pulse which is delayed compared to the second pulse. The first peak of the first pulse is smaller than the second peak of the second pulse, and the third peak of the third pulse may be smaller than the second peak. Therefore, damage of a semiconductor layer may be prevented. 레이저 어닐링 장치는, 복수개의 레이저들, 상기 레이저들에서 생성되는 복수개의 레이저 빔들이 서로 다른 타이밍들에 출사되도록 상기 레이저들을 제어하는 레이저 컨트롤러, 출사 타이밍들이 조절된 상기 레이저 빔들을 혼합하여 가공빔을 출력하는 빔 믹서 광학계, 및 상기 가공빔의 초점을 조절하여 출력하는 포커스 광학계를 포함할 수 있다. 상기 가공빔은, 제1 펄스를 갖는 제1 레이저 빔, 상기 제1 펄스보다 지연된 제2 펄스를 갖는 제2 레이저 빔, 및 상기 제2 펄스보다 지연된 제3 펄스를 갖는 제3 레이저 빔을 포함하고, 상기 제1 펄스의 제1 피크는 상기 제2 펄스의 제2 피크보다 작고, 상기 제3 펄스의 제3 피크는 상기 제2 피크보다 작을 수 있다.