SEMICONDUCTOR DEVICE ASSEMBLIES INCLUDING MONOLITHIC SILICON STRUCTURES FOR THERMAL DISSIPATION AND METHODS OF MAKING THE SAME

A semiconductor device assembly is provided. The assembly includes: a first semiconductor device including a plurality of electrical contact parts on its upper surface; a monolithic silicon structure having a lower surface in contact with the upper surface of the first semiconductor device, wherein the monolithic silicon structure includes a cavity completely extended from the lower surface through the body of the monolithic silicon structure to the upper surface of the monolithic silicon structure -; and a second semiconductor device disposed within the cavity, wherien the second semiconductor device includes a plurality of interconnect parts, each of which is operably coupled to a corresponding one of the plurality of electrical contact parts. 반도체 디바이스 어셈블리가 제공된다. 어셈블리는 그의 상부 표면 상에 복수의 전기적 접촉부들을 포함하는 제1 반도체 디바이스; 제1 반도체 디바이스의 상부 표면과 접촉하는 하부 표면을 갖는 모놀리식 실리콘 구조체 - 모놀리식 실리콘 구조체는 하부 표면으로부터 모놀리식 실리콘 구조체의 바디를 통해 완전히 모놀리식 실리콘 구조체의 상부 표면까지 연장되는 공동을 포함함 -; 및 공동 내에 배치된 제2 반도체 디바이스 - 제2 반도체 디바이스는 복수의 전기적 접촉부들 중 대응하는 전기적 접촉부에 각각 동작가능하게 결합되는 복수의 상호접속부들을 포함함 - 를 포함한다.