Method for depositing thin film on wafer

The present invention relates to a method for depositing a thin film, and more specifically, to a method for depositing a thin film capable of preventing an increase in the thickness of an ultrafine thin film and a change in physical properties due to the generation of particles by introducing a pulsed plasma purge process. The method for depositing a thin film according to an embodiment is a method for depositing a thin film using a substrate processing apparatus that applies RF power to a chamber and generates plasma in the chamber to form a thin film on a substrate, in which the method comprises: a step of preparing a substrate in the chamber; a thin film formation step of generating a first plasma in the chamber and supplying a source gas to form a thin film layer on the substrate; and a pulsed plasma purge step of generating a second plasma having a preset duty ratio in the chamber and supplying an inert gas to remove a residual source gas in the chamber. 본 발명은 박막 증착 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 펄스형 플라즈마 퍼지 공정을 도입하여 초미세 박막의 두께 증가와 파티클 발생에 의한 물성 변화를 방지할 수 있는 박막 증착 방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 박막 증착 방법은 RF 전원을 챔버에 인가하고, 상기 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜 기판 상에 박막을 형성하는 기판 처리 장치를 이용한 박막 증착 방법으로서, 상기 챔버 내부로 기판을 준비하는 단계; 상기 챔버 내부에 제1 플라즈마를 발생시키고, 소스 가스를 공급하여 상기 기판 상에 박막층을 형성하는 박막 형성단계; 및 상기 챔버 내부에 미리 설정된 듀티비의 제2 플라즈마를 발생시키고, 불활성 가스를 공급하여 상기 챔버 내부에 잔류 소스 가스를 제거하는 펄스형 플라즈마 퍼지단계;를 포함한다.