SUBSTRATE SUPPORTER PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD

The present invention enables electrostatic adsorption to be maintained even in a high-temperature area by appropriately adjusting a temperature of a substrate supported on a substrate supporter. As the substrate supporter, the substrate supporter has: a base; a first ceramic layer on the base; and a second ceramic layer on the first ceramic layer, wherein the first ceramic layer has a first base part made of a first ceramic and a plurality of heater electrodes included in the first base part and to adjust a temperature of the substrate, and the second ceramic layer has a second base part made of a second ceramic different from the first ceramic and an adsorption electrode included in the second base part and to maintain the substrate. [과제] 기판 지지기에 지지된 기판의 온도를 적절히 조절하여, 고온 영역에 있어서도 정전 흡착을 유지한다. [해결 수단] 기판 지지기로서, 기대와, 상기 기대 상의 제 1 세라믹층과, 상기 제 1 세라믹층 상의 제 2 세라믹층을 갖고, 상기 제 1 세라믹층은, 제 1 세라믹으로 만들어진 제 1 기초부와, 상기 제 1 기초부에 내포되고 상기 기판의 온도를 조절하기 위한 복수의 히터 전극을 갖고, 상기 제 2 세라믹층은, 상기 제 1 세라믹과 다른, 제 2 세라믹으로 만들어진 제 2 기초부와, 상기 제 2 기초부에 내포되고 상기 기판을 유지하기 위한 흡착 전극을 가진다.