Inductively coupled plasma processing apparatus

The present invention relates to an inductively coupled plasma processing apparatus, which may greatly improve the uniformity of substrate processing. The inductively coupled plasma processing apparatus comprises: a chamber body (100) which has a rectangular flat surface and is formed with an opening on a upper side of the chamber body; a window assembly (200) which includes one or more windows (210) covering the opening to form a processing space (S) with the chamber body (100), and a support frame (220) supporting the windows (210); a substrate support unit (300) which is installed in the chamber body (100) to support a rectangular substrate (10); a gas injection unit which injects gas into the processing space (S); and an antenna unit (500) which is installed in a reference rectangular area corresponding to the rectangular shape of the substrate (10) at an upper part of the window assembly (200) to form an inductive electric field in the processing space (S). The antenna unit (500) comprises: four corner antenna groups (700) which are disposed adjacent to vertices of the reference rectangular area to control the plasma density of the corner portions; and a lateral antenna group (510) which is disposed to be spaced apart from the sides of the reference rectangular area and the four corner antenna groups (700). 본 발명은 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. 본 발명은, 평면형상이 직사각형 형상을 가지며, 상측에 개구부가 형성된 챔버본체(100)와; 상기 챔버본체(100)와 함께 처리공간(S)을 형성하도록 상기 개구부를 복개하는 하나 이상의 윈도우(210)와, 상기 윈도우(210)를 지지하는 지지프레임(220)을 포함하는 윈도우조립체(200)와; 상기 챔버본체(100)에 설치되어 직사각형 기판(10)을 지지하는 기판지지부(300)와; 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부와; 상기 윈도우조립체(200)의 상부에 상기 기판(10)의 직사각형 형상에 대응되는 기준 직사각형 영역에 설치되어 상기 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나부(500)를 포함하며, 상기 안테나부(500)는, 상기 기준 직사각형 영역의 꼭지점에 인접하여 배치되어 코너 부분의 플라즈마 밀도를 제어하는 4개의 코너 안테나군(700)과; 상기 기준 직사각형 영역의 변 및 상기 4개의 코너 안테나군(700)과 간격을 두고 배치되는 측방 안테나군(510)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치를 개시한다.