PROCESS CHAMBER FOR SUBSTRATE PROCESSING AND SHOWERHEAD FOR REACTIVE GAS INJECTION

The present invention relates to a process chamber for substrate processing and a showerhead for reaction gas injection. The process chamber for substrate processing comprises: a chamber body part having a chamber opening/closing part opening and closing the inside on the outer surface thereof, and allowing a substrate for a semiconductor to be loaded therein; and a showerhead for reaction gas injection coupled into the chamber body part through an open part opened by the chamber opening/closing part to be separated by sliding, and injecting reaction gas to the loaded substrate for a semiconductor. The process chamber for substrate processing can greatly increase convenience when performing replacement work of a showerhead, greatly shorten the time required for the replacement work, replace a showerhead for reaction gas injection by opening a side or a rear surface of the process chamber to be stacked to build equipment to reduce equipment installation space to efficiently secure equipment space, and greatly improve productivity by the stacking structure of the process chamber. 본 발명은 기판 처리용 공정 챔버 및 반응가스 분사용 샤워헤드에 관한 것으로 외측면에 내부를 개폐하는 챔버 개폐부가 구비되고, 내부에 반도체용 기판이 로딩되는 챔버 본체부, 상기 챔버 개폐부에 의해 열린 개방부를 통해 상기 챔버 본체부 내에 슬라이드 방식으로 분리 가능하게 결합되고, 로딩된 반도체용 기판에 반응 가스를 분사하는 반응가스 분사용 샤워헤드를 포함하여 샤워헤드의 교체 작업 시 편의성을 크게 증대시키고, 교체 작업 시 소요되는 시간을 크게 단축시키고, 공정챔버의 측면 또는 후면을 열어 반응가스 분사용 샤워헤드를 교체할 수 있어 적층시켜 설비를 구성할 수 있어 설비 설치 공간을 줄여 설비 공간을 효율적으로 확보하고, 공정챔버의 적층 구조로 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.