Image sensors

An image sensor is disclosed. The image sensor includes: a semiconductor substrate including a first surface and a second surface and including a photoelectric conversion region therein; a buried gate structure disposed within a buried gate trench extended from the first surface of the semiconductor substrate to the inside of the semiconductor substrate; a floating diffusion region disposed on one side of the buried gate structure in the semiconductor substrate; a contact disposed on the first surface of the semiconductor substrate and disposed in the upper part of the floating diffusion region; and a contact barrier region disposed between the contact and the floating diffusion region in the semiconductor substrate. Therefore, it is possible to prevent a leakage current from a pixel circuit. 이미지 센서가 개시된다. 이미지 센서는 제1 면과 제2 면을 포함하고, 내부에 광전 변환 영역을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 반도체 기판 내부로 연장되는 매립 게이트 트렌치 내부에 배치되는 매립 게이트 구조물; 상기 반도체 기판의 내부에서 상기 매립 게이트 구조물의 일 측 상에 배치되는 플로팅 확산 영역; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면 상에 배치되고, 상기 플로팅 확산 영역 상부에 배치되는 콘택; 및 상기 반도체 기판의 내부에서 상기 콘택과 상기 플로팅 확산 영역 사이에 배치되는 콘택 배리어 영역을 포함한다.