SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING DUMMY STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF

The present invention relates to a semiconductor device including a dummy structure. The semiconductor device according to one embodiment of the present invention may include: a plurality of semiconductor chips; a signal through silicon via (TSV) electrode which penetrates the plurality of semiconductor chips; a ground TSV electrode which penetrates the plurality of semiconductor chips; and a dummy structure included in a space between the signal TSV electrode and the ground TSV electrode and reducing the leakage current between the signal TSV electrode and the ground TSV electrode, in each of the plurality of semiconductor chips. 본 발명은 더미 구조물을 포함하는 반도체 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치는 복수의 반도체칩, 상기 복수의 반도체칩을 관통하는 신호 실리콘 관통 전극(through silicon via, TSV), 상기 복수의 반도체칩을 관통하는 접지 실리콘 관통 전극 및 상기 복수의 반도체칩 각각에서, 상기 신호 실리콘 관통 전극과 상기 접지 실리콘 관통 전극 사이 공간에 포함되어 상기 신호 실리콘 관통 전극과 상기 접지 실리콘 관통 전극 간의 누설 전류(leakage current)를 감소시키는 더미 구조물을 포함할 수 있다.