PLASMA PROCESSING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE MENUFACTURING METHOD USING THE SAME

An embodiment of the present invention provides a plasma processing device comprising: a process chamber having an internal space in which a substrate is processed; an upper electrode disposed at the top of the internal space; a lower electrode disposed at the bottom of the internal space; an electrostatic chuck fastened to the lower electrode by a fastening member, having a cylindrical body part having an upper surface on which the substrate is seated, protruding from an outer peripheral surface of the body part, having a protrusion part in contact with the lower electrode, and having a lift pin disposed on the upper surface for lifting and lowering the substrate, wherein the protrusion part has a concave part on an upper surface thereof for receiving the fastening member; a cover disposed on the upper surface of the protrusion part to cover the concave part and having a flat upper surface; and a support ring disposed to surround the outer peripheral surface of the body part. The plasma processing device according to the technical idea of the present invention can reduce contamination of a wafer processed in a plasma processing process. 본 발명의 일 실시예는, 기판이 처리되는 내부 공간을 갖는 공정 챔버; 상기 내부 공간의 상부에 배치되는 상부 전극; 상기 내부 공간의 하부에 배치되는 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 체결 부재에 의해 체결되며, 상기 기판이 안착되는 상면을 갖는 원통형의 몸체부를 가지며, 상기 몸체부의 외주면에 돌출되며 상기 하부 전극과 접하는 돌출부를 가지며, 상기 상면에 상기 기판을 승하강하는 리프트 핀이 배치된 정전 척(electrostatic chuck) - 상기 돌출부는 상부면에 상기 체결 부재가 수용되는 오목부를 가짐-; 상기 오목부를 덮도록 상기 돌출부의 상기 상부면에 배치되며, 평탄한 상부 표면을 갖는 커버; 및 상기 몸체부의 상기 외주면을 감싸도록 배치되는 지지 링을 포함하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.