METHOD OF SEARCHING READ VOLTAGE OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING REGRESSION ANALYSIS AND METHOD OF READING DATA FROM NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME

서로 다른 제1 상태 및 제2 상태를 가지는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 비휘발성 메모리 장치에서 제1 및 제2 상태들을 구별하는데 이용되는 독출 전압을 검색하는 방법에서, 데이터 독출 동작의 수행 횟수를 나타내는 n을 결정한다. 데이터 독출 동작의 수행 횟수와 동일하도록, 독출 전압의 서로 다른 n개의 독출 레벨들을 선택한다. n개의 독출 레벨들 모두를 이용하여 복수의 메모리 셀들에 대한 n번의 데이터 독출 동작들을 수행하여, n개의 셀 카운트 값들을 생성한다. n개의 독출 레벨들 및 n개의 셀 카운트 값들을 이용하여 1차 다항식 기반의 회귀 분석을 수행하여, 독출 전압의 최적 레벨을 결정한다. A nonvolatile memory device includes a plurality of memory cells that have a first state and a second state different from each other. A method of searching a read voltage of the nonvolatile memory device includes determining a number n that represents a number of times a data read operation is performed, selecting n read voltage levels of the read voltage such that a number of read voltage levels is equal to the number of times the data read operation, where the n read voltage levels differ from each other, generating n cell count values by performing n data read operations on the plurality of memory cells using all of the n read voltage levels, and generating an optimal read voltage level of the read voltage by performing a regression analysis based on a first-order polynomial using the n read voltage levels and the n cell count values.