내식성 플라즈마 프로세싱 챔버 컴포넌트들

플라즈마 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 컴포넌트가 제공된다. 컴포넌트는 컴포넌트 바디를 포함한다. 컴포넌트의 플라즈마 대면 표면은 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 플라즈마와 대면하도록 구성된다. 플라즈마 대면 표면은 1) 도펀트가 탄소, 붕소, 텅스텐, 몰리브덴 및 탄탈륨 중 적어도 어느 하나이고, 도펀트는 0.01 % 내지 50 % 의 몰퍼센트 범위의 농도를 가지는 도펀트로 도핑된 실리콘 층, 또는 2) 도펀트가 실리콘, 붕소, 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈륨 중 적어도 하나이고, 도펀트의 농도는 0.01 % 내지 50 % 의 몰퍼센트 범위의 농도를 가지는 도펀트가 도핑된 탄소 층 또는 3) 필수적으로 붕소로 구성되는 층, 또는 4) 필수적으로 탄탈륨으로 구성되는 층을 포함한다. A component for use in a plasma processing chamber is provided. The component comprises a component body. A plasma facing surface of the component body is adapted to face a plasma in the plasma processing chamber. The plasma facing surface comprises 1) a layer of silicon doped with a dopant wherein the dopant is at least one of carbon, boron, tungsten, molybdenum, and tantalum, wherein the dopant has a concentration that ranges from 0.01% to 50% by mole percentage, or 2) a layer of carbon doped with a dopant wherein the dopant is at least one of silicon, boron, tungsten, molybdenum, and tantalum, wherein the dopant has a concentration that ranges from 0.01% to 50% by mole percentage, or 3) a layer consisting essentially of boron, or 4) a layer consisting essentially of tantalum.