stack type semiconductor device

The present invention provides a stacked semiconductor device having a contact electrode which can be easily connected electrically to a source/drain area of a lower transistor. The stacked semiconductor device according to the present invention includes: a first stacked nanosheet structure arranged on a substrate in a vertical direction to the surface of the substrate; a first source/drain area extended in a horizontal direction from the upper part of one side of the first stacked nanosheet structure to the surface of the substrate; a second stacked nanosheet structure stacked on the first stacked nanosheet structure in the vertical direction; a second source/drain area extended from the upper part of one side of the second stacked nanosheet structure in the horizontal direction; and a contact hole extended in the vertical direction and the contact electrode embedded into the contact hole, wherein the contact hole and the contact electrode are positioned on one side of the second source/drain area and one side of the first source/drain area. The contact electrode is in contact with the one side of the first source/drain area. 본 발명의 적층형 반도체 소자는 기판 상에 상기 기판의 표면에 대해 수직 방향으로 배치된 제1 나노 시트 적층 구조물; 상기 제1 나노 시트 적층 구조물의 일측면 상에 상기 기판의 표면에 대해 수평 방향으로 연장된 제1 소스/드레인 영역; 상기 수직 방향으로 상기 제1 나노 시트 적층 구조물 상에 적층된 제2 나노 시트 적층 구조물; 상기 제2 나노 시트 적층 구조물의 일측면 상에 상기 수평 방향으로 연장된 제2 소스/드레인 영역; 및 상기 제2 소스/드레인 영역의 일측 및 상기 제1 소스/드레인 영역의 일측에 위치하고 상기 수직 방향으로 연장된 콘택홀 및 상기 콘택홀에 매립된 콘택 전극을 포함하되, 상기 콘택 전극은 상기 제1 소스/드레인 영역의 일측면과 콘택되는 것을 포함한다.