변형 게이지 센서의 제조 방법

본 발명은 센서를 제작하는 방법을 제공하고, 상기 센서는 중합체 몸체 및 적어도 하나의 쇼트키 접합을 포함하는 변형 게이지를 포함하며, 쇼트키 접합은 바람직하게는 섬유아연석 결정 구조를 갖는 압전 반도체 재료를 포함하는 활성 층을 포함하고, 쇼트키 접합은 활성 층에 전기적으로 접속된 적어도 하나의 금속 전극을 더 포함하고; 상기 방법은 다음과 같은 단계들: 중합체 층을 형성하는 단계(220), 중합체 층 상에 적어도 하나의 금속 전극을 성장시키는 단계(240), 중합체 층 상에 및 금속 전극 상에 원자 층 퇴적(ALD)에 의해 활성 층을 성장시키는 단계(260)를 포함한다. 본 발명은 또한, 중합체 몸체 및 ALD에 의해 획득된 변형 게이지를 포함하는 캔틸레버를 포함하는 센서를 제공한다. 상이한 주파수들에서 게이지 계수 150이 달성된다. method of fabricating a sensor including a polymer body and a strain gauge including at least one Schottky junction. The Schottky junction includes an active layer including a piezoelectric semiconductor material, preferably with a wurtzite crystalline structure. The Schottky junction further including at least one metal electrode electrically connected to the active layer. The method including the following steps: forming a polymer layer, growing the at least one metal electrode on the polymer layer, then growing the active layer by atomic layer deposition, ALD, on the polymer layer and on the metal electrode. A sensor includes a polymer body and a cantilever including a strain gauge obtained by ALD. A gauge factor of 150 is achieved at different frequencies.