리소그래피 장치 및 기판의 다중 노광을 위한 방법
리소그래피 시스템 및 기판을 노광시키는 방법이 제공된다. 이 방법은 복수의 마스크 세트를 제공하는 것을 포함한다. 각 마스크 세트는 각각의 패턴에 대응하는 상보적인 마스크를 포함한다. 본 방법은 복수의 마스크 세트로 기판을 노광시키는 것을 더 포함한다. 마스크 세트의 상보적인 마스크들 사이의 스티치 위치는 복수의 마스크 세트의 각각의 다른 마스크 세트의 상보적인 마스크 사이의 스티치 위치와 다르다. A lithographic system and a method for exposing a substrate are provided. T...
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| Format: | Patent |
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| creator | BRUNNER TIMOTHY ALLAN VAN DE KERKHOF MARCUS ADRIANUS |
| description | 리소그래피 시스템 및 기판을 노광시키는 방법이 제공된다. 이 방법은 복수의 마스크 세트를 제공하는 것을 포함한다. 각 마스크 세트는 각각의 패턴에 대응하는 상보적인 마스크를 포함한다. 본 방법은 복수의 마스크 세트로 기판을 노광시키는 것을 더 포함한다. 마스크 세트의 상보적인 마스크들 사이의 스티치 위치는 복수의 마스크 세트의 각각의 다른 마스크 세트의 상보적인 마스크 사이의 스티치 위치와 다르다.
A lithographic system and a method for exposing a substrate are provided. The method includes providing a plurality of mask sets. Each mask set includes complementary masks corresponding to a respective pattern. The method further comprises exposing the substrate with the plurality of mask sets. A stitch location between the complementary masks of a mask set is different than a stitch location between the complementary masks of each other mask set of the plurality of mask sets. |
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A lithographic system and a method for exposing a substrate are provided. The method includes providing a plurality of mask sets. Each mask set includes complementary masks corresponding to a respective pattern. The method further comprises exposing the substrate with the plurality of mask sets. A stitch location between the complementary masks of a mask set is different than a stitch location between the complementary masks of each other mask set of the plurality of mask sets.</description><language>kor</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230331&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20230043857A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230331&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20230043857A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BRUNNER TIMOTHY ALLAN</creatorcontrib><creatorcontrib>VAN DE KERKHOF MARCUS ADRIANUS</creatorcontrib><title>리소그래피 장치 및 기판의 다중 노광을 위한 방법</title><description>리소그래피 시스템 및 기판을 노광시키는 방법이 제공된다. 이 방법은 복수의 마스크 세트를 제공하는 것을 포함한다. 각 마스크 세트는 각각의 패턴에 대응하는 상보적인 마스크를 포함한다. 본 방법은 복수의 마스크 세트로 기판을 노광시키는 것을 더 포함한다. 마스크 세트의 상보적인 마스크들 사이의 스티치 위치는 복수의 마스크 세트의 각각의 다른 마스크 세트의 상보적인 마스크 사이의 스티치 위치와 다르다.
A lithographic system and a method for exposing a substrate are provided. The method includes providing a plurality of mask sets. Each mask set includes complementary masks corresponding to a respective pattern. The method further comprises exposing the substrate with the plurality of mask sets. A stitch location between the complementary masks of a mask set is different than a stitch location between the complementary masks of each other mask set of the plurality of mask sets.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHB-vWzNm7aeV9t3vJ434-2UPQpv5i19s3OGwusN_Qqvdmx42zPhzVwgr3vJmyUTFV637ni1ZeKbuS0Kb-a0vJ06B6hq5etNU3kYWNMSc4pTeaE0N4Oym2uIs4duakF-fGpxQWJyal5qSbx3kJGBkbGBgYmxham5ozFxqgCqzEYt</recordid><startdate>20230331</startdate><enddate>20230331</enddate><creator>BRUNNER TIMOTHY ALLAN</creator><creator>VAN DE KERKHOF MARCUS ADRIANUS</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230331</creationdate><title>리소그래피 장치 및 기판의 다중 노광을 위한 방법</title><author>BRUNNER TIMOTHY ALLAN ; VAN DE KERKHOF MARCUS ADRIANUS</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20230043857A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2023</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>BRUNNER TIMOTHY ALLAN</creatorcontrib><creatorcontrib>VAN DE KERKHOF MARCUS ADRIANUS</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>BRUNNER TIMOTHY ALLAN</au><au>VAN DE KERKHOF MARCUS ADRIANUS</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>리소그래피 장치 및 기판의 다중 노광을 위한 방법</title><date>2023-03-31</date><risdate>2023</risdate><abstract>리소그래피 시스템 및 기판을 노광시키는 방법이 제공된다. 이 방법은 복수의 마스크 세트를 제공하는 것을 포함한다. 각 마스크 세트는 각각의 패턴에 대응하는 상보적인 마스크를 포함한다. 본 방법은 복수의 마스크 세트로 기판을 노광시키는 것을 더 포함한다. 마스크 세트의 상보적인 마스크들 사이의 스티치 위치는 복수의 마스크 세트의 각각의 다른 마스크 세트의 상보적인 마스크 사이의 스티치 위치와 다르다.
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