리소그래피 장치 및 기판의 다중 노광을 위한 방법

리소그래피 시스템 및 기판을 노광시키는 방법이 제공된다. 이 방법은 복수의 마스크 세트를 제공하는 것을 포함한다. 각 마스크 세트는 각각의 패턴에 대응하는 상보적인 마스크를 포함한다. 본 방법은 복수의 마스크 세트로 기판을 노광시키는 것을 더 포함한다. 마스크 세트의 상보적인 마스크들 사이의 스티치 위치는 복수의 마스크 세트의 각각의 다른 마스크 세트의 상보적인 마스크 사이의 스티치 위치와 다르다. A lithographic system and a method for exposing a substrate are provided. T...

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Hauptverfasser: BRUNNER TIMOTHY ALLAN, VAN DE KERKHOF MARCUS ADRIANUS
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:리소그래피 시스템 및 기판을 노광시키는 방법이 제공된다. 이 방법은 복수의 마스크 세트를 제공하는 것을 포함한다. 각 마스크 세트는 각각의 패턴에 대응하는 상보적인 마스크를 포함한다. 본 방법은 복수의 마스크 세트로 기판을 노광시키는 것을 더 포함한다. 마스크 세트의 상보적인 마스크들 사이의 스티치 위치는 복수의 마스크 세트의 각각의 다른 마스크 세트의 상보적인 마스크 사이의 스티치 위치와 다르다. A lithographic system and a method for exposing a substrate are provided. The method includes providing a plurality of mask sets. Each mask set includes complementary masks corresponding to a respective pattern. The method further comprises exposing the substrate with the plurality of mask sets. A stitch location between the complementary masks of a mask set is different than a stitch location between the complementary masks of each other mask set of the plurality of mask sets.