Plasma control device and plasma processing system

Provided are a plasma control device and a plasma processing system that can enhance plasma characteristics efficiently. The plasma control device according to embodiments of the present invention includes a matching circuit, a resonance circuit, and a controller. The matching circuit is connected to a first electrode in a plasma chamber containing the first electrode and a second and electrode and matches an impedance of radio frequency (RF) power from an RF driving signal based on a first RF with a first frequency, to an impedance of an upper electrode. The resonance circuit is connected between the second electrode and a ground voltage, provides resonance for harmonics related to the first frequency, and adjusts a ground impedance between the second electrode and the ground voltage to regulate the distribution of plasma inside the plasma chamber. The controller provides capacitance control signals related to the resonance and switch control signals related to the ground impedance. 본 발명의 실시예들에 따른 플라즈마 제어 장치는 정합 회로, 공진 회로 및 컨트롤러를 포함한다. 상기 정합 회로는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 플라즈마 챔버의 상기 제1 전극에 연결되고, 제1 주파수를 갖는 제1 무선 주파수(radio frequency, 이하 'RF')에 기초한 RF 구동 신호에 의한 RF 파워의 임피던스를 상기 상부 전극의 임피던스와 정합시킨다. 상기 공진 회로는 상기 제2 전극과 접지 전압 사이에 연결되고, 상기 제1 주파수와 관련된 고조파들에 대한 공진을 제공하고, 상기 제2 전극과 상기 접지 전압 사이의 접지 임피던스를 조절하여 상기 플라즈마 챔버 내의 플라즈마 분포를 제어한다. 상기 컨트롤러는 상기 공진과 관련되는 커패시턴스 제어 신호 및 상기 접지 임피던스와 관련되는 스위치 제어 신호들을 상기 공진 회로에 제공한다.