FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING SYSTEM

A film forming method is provided. The etching amount of a ruthenium layer is controlled in embedding ruthenium in a concave part. A film forming method of embedding ruthenium in a substrate having a concave part comprises the steps of: (a) preparing the substrate in a processing container; (b) forming a ruthenium layer by supplying a gas containing a ruthenium source gas into the processing chamber; (c) etching the ruthenium layer by supplying a gas containing ozone gas into the processing chamber; and (d) annealing the ruthenium layer. Steps (b), (c), and (d) are repeatedly performed in this order. 본 발명은, 오목부에의 루테늄의 매립에 있어서, 루테늄층의 에칭양을 제어한다. 오목부를 갖는 기판에 대하여 루테늄을 매립하는 성막 방법이며, (a) 상기 기판을 처리 용기 내에 준비하는 공정과, (b) 상기 처리 용기 내에 루테늄의 원료 가스를 포함하는 가스를 공급하여, 루테늄층을 성막하는 공정과, (c) 상기 처리 용기 내에 오존 가스를 포함하는 가스를 공급하여, 상기 루테늄층을 에칭하는 공정과, (d) 상기 루테늄층을 어닐하는 공정을 포함하고, 상기 (b), 상기 (c), 상기 (d)의 공정을 이 순으로 반복 실행하는 성막 방법이 제공된다.