Semiconductor memory device and memory system including the same

A semiconductor memory device comprises: a plurality of input/output pins communicating with a memory controller; a command control logic; a temperature measurement circuit; and an operation limit controller. The command control logic controls the operation of the semiconductor memory device based on command and control signals transmitted from the memory controller through control pins among the plurality of input/output pins. The temperature measurement circuit measures the operating temperature of the semiconductor memory device and generates a temperature code corresponding to the operating temperature. The operation limit controller, if the operating temperature exceeds a hazardous temperature based on the temperature code, controls an internal operation of the semiconductor memory device to reduce power consumption of the semiconductor memory device regardless of the command signals and the control signals received from the memory controller. The internal operation of the semiconductor memory device is controlled based on the operating temperature inside the semiconductor memory device regardless of the control of the memory controller, thereby effectively preventing physical damage to the semiconductor memory device. 반도체 메모리 장치는, 메모리 컨트롤러와의 통신을 수행하는 복수의 입출력 핀들, 코맨드 제어 로직, 온도 측정 회로 및 동작 제한 컨트롤러를 포함한다. 상기 코맨드 제어 로직은 상기 복수의 입출력 핀들 중 제어 핀들을 통하여 상기 메모리 컨트롤러로부터 전송되는 코맨드 및 제어 신호에 기초하여 상기 반도체 메모리 장치의 동작을 제어한다. 상기 온도 측정 회로는 반도체 메모리 장치의 동작 온도를 측정하여 상기 동작 온도에 상응하는 온도 코드를 생성한다. 상기 동작 제한 컨트롤러는 상기 온도 코드에 기초하여 상기 동작 온도가 위험 온도를 초과하는 경우 상기 메모리 메모리 컨트롤러로부터 수신되는 상기 코맨드 신호 및 상기 제어 신호와 무관하게 상기 반도체 메모리 장치의 전력 소모가 감소하도록 상기 반도체 메모리 장치의 내부 동작을 제어한다. 메모리 컨트롤러의 제어에 관계 없이 반도체 메모리 장치 내부의 동작 온도에 기초하여 반도체 메모리 장치의 내부 동작을 제어함으로써 효율적으로 반도체 메모리 장치의 물리적 손상을 방지할 수 있다.