SILICON CARBIDE CRYSTAL DEFECT LOCATION ANALYSIS METHOD USING NON-DESTRUCTIVE ANALYSIS METHOD AND ANALYSIS DEVICE AND COMPUTER PROGRAM INCLUDING THE SAME

SILICON CARBIDE CRYSTAL DEFECT LOCATION ANALYSIS METHOD USING NON-DESTRUCTIVE ANALYSIS METHOD AND ANALYSIS DEVICE AND COMPUTER PROGRAM INCLUDING THE SAME

The present invention relates to a silicon carbide crystal defect location analysis method using a non-destructive analysis method and analysis device and computer program including the same. According to the present invention, a method of investigating defects in silicon carbide includes the steps...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: JUNG HYUN JIN, MOON JEONG HYUN, NA MOON KYONG, BAHNG WOOK
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
MEASURING
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
TESTING
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator JUNG HYUN JIN
MOON JEONG HYUN
NA MOON KYONG
BAHNG WOOK
description The present invention relates to a silicon carbide crystal defect location analysis method using a non-destructive analysis method and analysis device and computer program including the same. According to the present invention, a method of investigating defects in silicon carbide includes the steps of: acquiring a PL defect image; acquiring an XRT defect image; analyzing images; determining a TED, a TSD defect, or a BPD defect; and determining a BPD defect in an epilayer. 본 발명은 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법과 이를 포함하는 분석장치 및 컴퓨터 프로그램에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄화규소를 이용한 전력반도체 소자를 비파괴분석법을 이용하여 결정 결함을 구분하고, 밀도를 파악하여 결정 결함의 위치 및 깊이에 대한 정보를 파악하기 위한 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법과 이를 포함하는 분석장치 및 컴퓨터 프로그램에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 탄화규소의 결함 조사방법에 있어서, PL분석법으로 PL 결함이미지를 획득하는 단계; XRT 분석법으로 XRT 결함이미지를 획득하는 단계; 상기 PL결함이미지와 XRT 결함이미지를 비교 분석하고, PL결함이미지와 XRT 결함이미지에서 TED, TSD, BPD 결함을 분류하는 이미지 분석 단계; TED, TSD 결함이 PL 결함이미지에 존재하는지 판단하는 T 단계; 상기 T 단계에서 TED, TSD 결함이 존재하지 않으면 기판의 TED, TSD 결함으로 판단하는 단계; 상기 T 단계에서 TED, TSD 결함이 존재하면, 에피층과 기판의 TED, TSD 결함으로 판단하는 단계; BPD 결함이 PL 결함이미지에 존재하는지 판단하는 B1 단계; 상기 B1 단계에서 BPD 결함이 존재하지 않으면, 기판의 BPD 결함으로 판단하는 단계; 상기 B1 단계에서 BPD 결함이 존재하면, XRT 결함이미지의 BPD 결함과 연속하는지 판단하는 B2 단계; 상기 B2 단계에서 연속하지 않으면 에피층의 BPD 결함으로 판단하는 단계; 상기 B2 단계에서 연속하는 선으로 존재하면 기판에서 에피층으로 전이된 에피층의 BPD 결함으로 판단하는 단계;를 포함하여 이루어져 탄화규소의 결함 위치를 판단할 수 있는 것을 특징으로 하는 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법을 기술적 요지로 한다.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_KR20230037309A</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>KR20230037309A</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_KR20230037309A3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNjLsKwkAQRdNYiPoPA9ZCSAqxHGdHM7jZld2JYBWCrJWoEH_Gv_WBYGFjdeHcwxlm9yhWyDsgDEsxDBT2UdGC4RWTgvWEKs8fHdp9lAg1a-UNNFHcGpx3M8NRQ0MqO_6x0JkvM7wT4jcjX28b5QDb4NcBaxBHtjGvpFYMEWseZ4Njd-rT5LOjbLpipWqWrpc29dfukM7p1m5CkRdlnpfzMl9g-Z_1AMRJQ_Y</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>SILICON CARBIDE CRYSTAL DEFECT LOCATION ANALYSIS METHOD USING NON-DESTRUCTIVE ANALYSIS METHOD AND ANALYSIS DEVICE AND COMPUTER PROGRAM INCLUDING THE SAME</title><source>esp@cenet</source><creator>JUNG HYUN JIN ; MOON JEONG HYUN ; NA MOON KYONG ; BAHNG WOOK</creator><creatorcontrib>JUNG HYUN JIN ; MOON JEONG HYUN ; NA MOON KYONG ; BAHNG WOOK</creatorcontrib><description>The present invention relates to a silicon carbide crystal defect location analysis method using a non-destructive analysis method and analysis device and computer program including the same. According to the present invention, a method of investigating defects in silicon carbide includes the steps of: acquiring a PL defect image; acquiring an XRT defect image; analyzing images; determining a TED, a TSD defect, or a BPD defect; and determining a BPD defect in an epilayer. 본 발명은 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법과 이를 포함하는 분석장치 및 컴퓨터 프로그램에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄화규소를 이용한 전력반도체 소자를 비파괴분석법을 이용하여 결정 결함을 구분하고, 밀도를 파악하여 결정 결함의 위치 및 깊이에 대한 정보를 파악하기 위한 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법과 이를 포함하는 분석장치 및 컴퓨터 프로그램에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 탄화규소의 결함 조사방법에 있어서, PL분석법으로 PL 결함이미지를 획득하는 단계; XRT 분석법으로 XRT 결함이미지를 획득하는 단계; 상기 PL결함이미지와 XRT 결함이미지를 비교 분석하고, PL결함이미지와 XRT 결함이미지에서 TED, TSD, BPD 결함을 분류하는 이미지 분석 단계; TED, TSD 결함이 PL 결함이미지에 존재하는지 판단하는 T 단계; 상기 T 단계에서 TED, TSD 결함이 존재하지 않으면 기판의 TED, TSD 결함으로 판단하는 단계; 상기 T 단계에서 TED, TSD 결함이 존재하면, 에피층과 기판의 TED, TSD 결함으로 판단하는 단계; BPD 결함이 PL 결함이미지에 존재하는지 판단하는 B1 단계; 상기 B1 단계에서 BPD 결함이 존재하지 않으면, 기판의 BPD 결함으로 판단하는 단계; 상기 B1 단계에서 BPD 결함이 존재하면, XRT 결함이미지의 BPD 결함과 연속하는지 판단하는 B2 단계; 상기 B2 단계에서 연속하지 않으면 에피층의 BPD 결함으로 판단하는 단계; 상기 B2 단계에서 연속하는 선으로 존재하면 기판에서 에피층으로 전이된 에피층의 BPD 결함으로 판단하는 단계;를 포함하여 이루어져 탄화규소의 결함 위치를 판단할 수 있는 것을 특징으로 하는 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법을 기술적 요지로 한다.</description><language>eng ; kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES ; MEASURING ; PHYSICS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TESTING</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20230316&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20230037309A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76294</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20230316&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20230037309A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>JUNG HYUN JIN</creatorcontrib><creatorcontrib>MOON JEONG HYUN</creatorcontrib><creatorcontrib>NA MOON KYONG</creatorcontrib><creatorcontrib>BAHNG WOOK</creatorcontrib><title>SILICON CARBIDE CRYSTAL DEFECT LOCATION ANALYSIS METHOD USING NON-DESTRUCTIVE ANALYSIS METHOD AND ANALYSIS DEVICE AND COMPUTER PROGRAM INCLUDING THE SAME</title><description>The present invention relates to a silicon carbide crystal defect location analysis method using a non-destructive analysis method and analysis device and computer program including the same. According to the present invention, a method of investigating defects in silicon carbide includes the steps of: acquiring a PL defect image; acquiring an XRT defect image; analyzing images; determining a TED, a TSD defect, or a BPD defect; and determining a BPD defect in an epilayer. 본 발명은 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법과 이를 포함하는 분석장치 및 컴퓨터 프로그램에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄화규소를 이용한 전력반도체 소자를 비파괴분석법을 이용하여 결정 결함을 구분하고, 밀도를 파악하여 결정 결함의 위치 및 깊이에 대한 정보를 파악하기 위한 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법과 이를 포함하는 분석장치 및 컴퓨터 프로그램에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 탄화규소의 결함 조사방법에 있어서, PL분석법으로 PL 결함이미지를 획득하는 단계; XRT 분석법으로 XRT 결함이미지를 획득하는 단계; 상기 PL결함이미지와 XRT 결함이미지를 비교 분석하고, PL결함이미지와 XRT 결함이미지에서 TED, TSD, BPD 결함을 분류하는 이미지 분석 단계; TED, TSD 결함이 PL 결함이미지에 존재하는지 판단하는 T 단계; 상기 T 단계에서 TED, TSD 결함이 존재하지 않으면 기판의 TED, TSD 결함으로 판단하는 단계; 상기 T 단계에서 TED, TSD 결함이 존재하면, 에피층과 기판의 TED, TSD 결함으로 판단하는 단계; BPD 결함이 PL 결함이미지에 존재하는지 판단하는 B1 단계; 상기 B1 단계에서 BPD 결함이 존재하지 않으면, 기판의 BPD 결함으로 판단하는 단계; 상기 B1 단계에서 BPD 결함이 존재하면, XRT 결함이미지의 BPD 결함과 연속하는지 판단하는 B2 단계; 상기 B2 단계에서 연속하지 않으면 에피층의 BPD 결함으로 판단하는 단계; 상기 B2 단계에서 연속하는 선으로 존재하면 기판에서 에피층으로 전이된 에피층의 BPD 결함으로 판단하는 단계;를 포함하여 이루어져 탄화규소의 결함 위치를 판단할 수 있는 것을 특징으로 하는 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법을 기술적 요지로 한다.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</subject><subject>MEASURING</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TESTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjLsKwkAQRdNYiPoPA9ZCSAqxHGdHM7jZld2JYBWCrJWoEH_Gv_WBYGFjdeHcwxlm9yhWyDsgDEsxDBT2UdGC4RWTgvWEKs8fHdp9lAg1a-UNNFHcGpx3M8NRQ0MqO_6x0JkvM7wT4jcjX28b5QDb4NcBaxBHtjGvpFYMEWseZ4Njd-rT5LOjbLpipWqWrpc29dfukM7p1m5CkRdlnpfzMl9g-Z_1AMRJQ_Y</recordid><startdate>20230316</startdate><enddate>20230316</enddate><creator>JUNG HYUN JIN</creator><creator>MOON JEONG HYUN</creator><creator>NA MOON KYONG</creator><creator>BAHNG WOOK</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230316</creationdate><title>SILICON CARBIDE CRYSTAL DEFECT LOCATION ANALYSIS METHOD USING NON-DESTRUCTIVE ANALYSIS METHOD AND ANALYSIS DEVICE AND COMPUTER PROGRAM INCLUDING THE SAME</title><author>JUNG HYUN JIN ; MOON JEONG HYUN ; NA MOON KYONG ; BAHNG WOOK</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20230037309A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; kor</language><creationdate>2023</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</topic><topic>MEASURING</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TESTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>JUNG HYUN JIN</creatorcontrib><creatorcontrib>MOON JEONG HYUN</creatorcontrib><creatorcontrib>NA MOON KYONG</creatorcontrib><creatorcontrib>BAHNG WOOK</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>JUNG HYUN JIN</au><au>MOON JEONG HYUN</au><au>NA MOON KYONG</au><au>BAHNG WOOK</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SILICON CARBIDE CRYSTAL DEFECT LOCATION ANALYSIS METHOD USING NON-DESTRUCTIVE ANALYSIS METHOD AND ANALYSIS DEVICE AND COMPUTER PROGRAM INCLUDING THE SAME</title><date>2023-03-16</date><risdate>2023</risdate><abstract>The present invention relates to a silicon carbide crystal defect location analysis method using a non-destructive analysis method and analysis device and computer program including the same. According to the present invention, a method of investigating defects in silicon carbide includes the steps of: acquiring a PL defect image; acquiring an XRT defect image; analyzing images; determining a TED, a TSD defect, or a BPD defect; and determining a BPD defect in an epilayer. 본 발명은 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법과 이를 포함하는 분석장치 및 컴퓨터 프로그램에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄화규소를 이용한 전력반도체 소자를 비파괴분석법을 이용하여 결정 결함을 구분하고, 밀도를 파악하여 결정 결함의 위치 및 깊이에 대한 정보를 파악하기 위한 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법과 이를 포함하는 분석장치 및 컴퓨터 프로그램에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 탄화규소의 결함 조사방법에 있어서, PL분석법으로 PL 결함이미지를 획득하는 단계; XRT 분석법으로 XRT 결함이미지를 획득하는 단계; 상기 PL결함이미지와 XRT 결함이미지를 비교 분석하고, PL결함이미지와 XRT 결함이미지에서 TED, TSD, BPD 결함을 분류하는 이미지 분석 단계; TED, TSD 결함이 PL 결함이미지에 존재하는지 판단하는 T 단계; 상기 T 단계에서 TED, TSD 결함이 존재하지 않으면 기판의 TED, TSD 결함으로 판단하는 단계; 상기 T 단계에서 TED, TSD 결함이 존재하면, 에피층과 기판의 TED, TSD 결함으로 판단하는 단계; BPD 결함이 PL 결함이미지에 존재하는지 판단하는 B1 단계; 상기 B1 단계에서 BPD 결함이 존재하지 않으면, 기판의 BPD 결함으로 판단하는 단계; 상기 B1 단계에서 BPD 결함이 존재하면, XRT 결함이미지의 BPD 결함과 연속하는지 판단하는 B2 단계; 상기 B2 단계에서 연속하지 않으면 에피층의 BPD 결함으로 판단하는 단계; 상기 B2 단계에서 연속하는 선으로 존재하면 기판에서 에피층으로 전이된 에피층의 BPD 결함으로 판단하는 단계;를 포함하여 이루어져 탄화규소의 결함 위치를 판단할 수 있는 것을 특징으로 하는 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법을 기술적 요지로 한다.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; kor
recordid cdi_epo_espacenet_KR20230037309A
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
MEASURING
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
TESTING
title SILICON CARBIDE CRYSTAL DEFECT LOCATION ANALYSIS METHOD USING NON-DESTRUCTIVE ANALYSIS METHOD AND ANALYSIS DEVICE AND COMPUTER PROGRAM INCLUDING THE SAME
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-22T21%3A05%3A55IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=JUNG%20HYUN%20JIN&rft.date=2023-03-16&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EKR20230037309A%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true