SILICON CARBIDE CRYSTAL DEFECT LOCATION ANALYSIS METHOD USING NON-DESTRUCTIVE ANALYSIS METHOD AND ANALYSIS DEVICE AND COMPUTER PROGRAM INCLUDING THE SAME

The present invention relates to a silicon carbide crystal defect location analysis method using a non-destructive analysis method and analysis device and computer program including the same. According to the present invention, a method of investigating defects in silicon carbide includes the steps of: acquiring a PL defect image; acquiring an XRT defect image; analyzing images; determining a TED, a TSD defect, or a BPD defect; and determining a BPD defect in an epilayer. 본 발명은 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법과 이를 포함하는 분석장치 및 컴퓨터 프로그램에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄화규소를 이용한 전력반도체 소자를 비파괴분석법을 이용하여 결정 결함을 구분하고, 밀도를 파악하여 결정 결함의 위치 및 깊이에 대한 정보를 파악하기 위한 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법과 이를 포함하는 분석장치 및 컴퓨터 프로그램에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 탄화규소의 결함 조사방법에 있어서, PL분석법으로 PL 결함이미지를 획득하는 단계; XRT 분석법으로 XRT 결함이미지를 획득하는 단계; 상기 PL결함이미지와 XRT 결함이미지를 비교 분석하고, PL결함이미지와 XRT 결함이미지에서 TED, TSD, BPD 결함을 분류하는 이미지 분석 단계; TED, TSD 결함이 PL 결함이미지에 존재하는지 판단하는 T 단계; 상기 T 단계에서 TED, TSD 결함이 존재하지 않으면 기판의 TED, TSD 결함으로 판단하는 단계; 상기 T 단계에서 TED, TSD 결함이 존재하면, 에피층과 기판의 TED, TSD 결함으로 판단하는 단계; BPD 결함이 PL 결함이미지에 존재하는지 판단하는 B1 단계; 상기 B1 단계에서 BPD 결함이 존재하지 않으면, 기판의 BPD 결함으로 판단하는 단계; 상기 B1 단계에서 BPD 결함이 존재하면, XRT 결함이미지의 BPD 결함과 연속하는지 판단하는 B2 단계; 상기 B2 단계에서 연속하지 않으면 에피층의 BPD 결함으로 판단하는 단계; 상기 B2 단계에서 연속하는 선으로 존재하면 기판에서 에피층으로 전이된 에피층의 BPD 결함으로 판단하는 단계;를 포함하여 이루어져 탄화규소의 결함 위치를 판단할 수 있는 것을 특징으로 하는 비파괴분석법을 이용한 탄화규소 결정 결함위치 분석법을 기술적 요지로 한다.