Method for deposition of a tungsten thin film

The present invention relates to a method for depositing a thin tungsten film, which can improve electrical characteristics. According to an embodiment, the method for depositing a thin tungsten film comprises the steps of: seating a substrate with a pattern layer on the chamber of a substrate processing system; forming a nucleation layer having a multilayer structure on the pattern layer; and forming a tungsten bulk layer on the upper surface of the nucleation layer. The forming of the nucleation layer having the multilayer structure includes: alternately supplying a silicon-containing gas and a tungsten-containing gas to form a permeation prevention layer on the pattern layer; alternately supplying a boron-containing gas and a tungsten precursor gas to form a nucleation layer on the permeation prevention layer; and alternately supplying a silicon-containing gas and a tungsten-containing gas to form a resistance adjustment layer on the nucleation layer. The nucleation layer having the multilayer structure in which the permeation prevention layer, the nucleation layer, and the resistance adjustment layer are sequentially stacked is formed on the pattern layer. 본 발명은 전기적 특성을 개선할 수 있는 텅스텐 박막의 증착 방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 텅스텐 박막의 증착 방법은, 패턴층이 형성된 기판을 기판 처리 시스템의 챔버에 안착하는 단계; 상기 패턴층 상에 다층 구조의 핵 생성층을 형성하는 단계; 및 상기 핵 생성층의 상면에 텅스텐 벌크층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 다층 구조의 핵 생성층을 형성하는 단계는, 실리콘 함유 가스와 텅스텐 함유 가스를 교번으로 공급하여 상기 패턴층 상에 침투 방지층을 형성하는 단계; 보론 함유 가스와 텅스텐 전구체 가스를 교번으로 공급하여 상기 침투 방지층 상에 핵 형성층을 형성하는 단계; 및 실리콘 함유 가스와 텅스텐 함유 가스를 교번으로 공급하여 상기 핵 형성층 상에 저항 조정층을 형성하는 단계를 포함하여, 상기 패턴층 상에 침투 방지층, 핵 형성층 및 저항 조정층이 순차적으로 적층된 다층 구조의 핵 생성층을 형성하는 것을 특징으로 한다.