광학 장치 및 광학 장치의 제조 방법

본 발명은 광학 장치(200)의 제조 방법에 관한 것이다. 방법은 전자기 방사선(250, 255)을 방출하기 위한 복수의 방출 장치(220)가 제1 주표면(212) 상에 배치되는 기판(210)을 제공하는 단계를 포함한다. 기판(210)은 발광 다이오드 웨이퍼로 설계되고/거나 사파이어 또는 갈륨 질화물로 형성되며, 방출 장치들(220)에 의해 방출되는 방사선(250, 255)의 적어도 방출 파장에 대해 투명하다. 방법은 또한 기판(210)의 제1 주표면(212)의 측에서 흡수 재료(230)를 적용하는 단계를 포함한다. 흡수 재료(230)는 적어도 방출 파장을 흡수하는 광구조화가능 레지스트를 포함한다. 방법은 또한 각각의 방출 장치(220)의 적어도 하나의 방출면(227)을 노출시키도록 흡수 재료(230)를 가공하는 단계를 포함한다. 노출될 표면들의 위치 결정이 제1 주표면(212)의 반대편에 있는 기판(210)의 제2 주표면(214)으로부터 수행된다. 방법은 또한, 분리 제조 공정에 의해 기판(210)을 복수의 광학 장치(200)로 싱귤레이션하는 단계로, 각각의 광학 장치(200)는 적어도 하나의 방출 장치(220)를 구비하는 것인 단계를 포함한다. The invention relates to a method for producing an optical apparatus (200). The method comprises a step of providing a substrate (210) on whose first main surface (212) a plurality of emission devices (220) for emitting electromagnetic radiation (250, 255) are arranged. The substrate (210) is designed as a light-emitting diode wafer and/or formed from sapphire or gallium nitride and is transparent at least for one emission wavelength of the radiation (250, 255) emitted by the emission devices (220), The method also comprises a step of applying an absorption material (230) on the side of the first main surface (212) of the substrate (210). The absorption material (230) has a photostructurable resist that absorbs at least the emission wavelength. The method further comprises a step of processing the absorbing material (230) in order to lay bare at least one emission surface (227) of each emission device (220). In this case, a position determination of surfaces to be laid bare is carried out from a second main surface (214) of the substrate (210) opposite the first main surface (212). In addition, the method comprises a step of singulating the substrate (210) into a plurality of optical apparatuses (200) by means of a separating manufacturing process, wherein each optical apparatus (200) has at least one emission device (220).