The Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer Device and the Fabrication Method Of The Same

An embodiment of the present invention provides a method for fabricating a capacitive ultrasonic transducer device including: a silicon device substrate; a single crystal silicon membrane disposed on the silicon device substrate; an upper electrode disposed on the single crystal silicon membrane; and a first electrode pad and a second electrode pad disposed on a lower surface of the silicon device substrate. The silicon device substrate includes: a plurality of active regions arranged in a matrix form on an upper portion of the silicon device substrate and operating with electrodes; a trench glass layer embedded in the silicon device substrate to separate the active regions from each other; a through trench glass layer disposed to surround the trench glass layer and penetrating the silicon device substrate; and a peripheral area disposed to surround the through trench glass layer. The present invention solves low process yield and increases area efficiency of a plurality of cavity cells. 본 발명의 일 실시예에 따른 정전용량형 초음파 변환자 소자의 제조 방법은, 실리콘 소자 기판; 상기 실리콘 소자 기판 상에 배치된 단결정 실리콘 멤브레인; 상기 단결정 실리콘 멤브레인 상에 배치된 상부 전극; 및 상기 실리콘 소자 기판의 하부면에 배치된 제1 전극 패드 및 제2 전극 패드를 포함한다. 상기 실리콘 소자 기판은, 상기 실리콘 소자 기판의 상부에 매트릭스 형태로 배열되고 전극으로 동작하는 복수의 활성 영역들; 상기 실리콘 소자 기판에 매립되어 상기 활성 영역들을 서로 분리시키는 트렌치 유리층; 상기 트렌치 유리층을 감싸도록 배치되고 상기 실리콘 소자 기판을 관통하여 배치된 관통 트렌치 유리층; 및 상기 관통 트렌치 유리층을 감싸도록 배치된 주변 영역;을 포함한다.