화학적 기계적 연마 동안 부적합 기판 프로세싱 이벤트들을 검출하는 방법들

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 전자 디바이스들의 제조에서 사용되는 화학적 기계적 연마(CMP) 시스템들 및 프로세스들에 관한 것이다. 특히, 본원에서의 실시예들은 연마 프로세스 동안 부적합 기판 프로세싱 이벤트들을 검출하는 방법들에 관한 것이다. 하나의 실시예에서, 연마 시스템 상에서 기판을 프로세싱하는 방법은, 연마 유체가 존재하는 상태에서 연마 패드에 대해 실리콘 탄화물 기판의 표면을 압박하는 것, 플래튼 위에 포지셔닝되는 온도 센서를 사용하여 연마 패드의 온도를 결정하는 것, 연마 패드의 온도를 모니터링하는 것, 및 연마 패드 온도에서의 변화가 임계 값에 도달하는 경우, 연마 시스템의 컨트롤러를 사용하여 응답을 개시하는 것을 포함한다. Embodiments of the present disclosure generally relate to chemical mechanical polishing systems (CMP) systems and processes used in the manufacturing of electronic devices. In particular, embodiments herein relate to methods of detecting non-conforming substrate processing events during a polishing process. In one embodiment, a method of processing a substrate on a polishing system includes urging a surface of a silicon carbide substrate against a polishing pad in the presence of a polishing fluid, determining a temperature of the polishing pad using a temperature sensor that is positioned above the platen, monitoring the temperature of the polishing pad, and, if the change in polishing pad temperature reaches a threshold value, initiating a response using a controller of the polishing system.