SEMICONDUCTOR PACKAGE AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE

A semiconductor package is provided. The semiconductor package includes: a connection structure having a connection terminal disposed thereon; and a semiconductor chip disposed on the connection structure and connected to the connection structure. The connection structure includes a plurality of wiring layers stacked and arranged and a plurality of insulating layers between the wiring layers; first and second passivation layers respectively covering the uppermost layer among the plurality of insulating layers and at least a portion of the wiring layer disposed on the uppermost layer; and a through via penetrating the plurality of insulating layers. The through vias are in contact with the lower surface of the first passivation layer and the upper surface of the second passivation layer. Therefore, it is possible to provide a semiconductor package with improved rigidity. 반도체 패키지가 제공된다. 반도체 패키지는, 하부에 접속 단자가 배치된 연결 구조체, 및 연결 구조체 상에 배치되고, 연결 구조체와 연결된 반도체 칩을 포함하고, 연결 구조체는, 적층되어 배치된 복수의 배선층 및 배선층 사이의 복수의 절연층과, 복수의 절연층 중 최상층 및 최상층에 배치된 배선층의 적어도 일부를 각각 덮는 제1 및 제2 패시베이션층과, 복수의 절연층을 관통하는 관통 비아를 포함하되, 관통 비아는 제1 패시베이션층의 하면 및 제2 패시베이션층의 상면과 접촉한다.