온도 제어가 개선된 정전 척

본 개시내용의 실시예들은 프로세싱 동안 기판들을 고정시키기 위한 정전 척들을 제공한다. 본 개시내용의 일부 실시예들은 기판의 방사상 프로파일에 걸쳐 증가된 온도 제어를 위한 방법들 및 장치를 제공한다. 본 개시내용의 일부 실시예들은, 고밀도 플라즈마(HDP) 프로세스 동안, 프로세싱된 막들 내의 수소 농도의 제어를 제공하기 위한 방법들 및 장치를 제공한다. Embodiments of the disclosure provide electrostatic chucks for securing substrates during processin...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: SEUTTER SEAN M, GONDHALEKAR SUDHIR R, RAMAMURTHI BADRI, BOYD WENDELL GLENN, ATHANI SHEKHAR, KALAL ANIL KUMAR, PANAVALAPPIL KUMARANKUTTY HANISH KUMAR, PINSON JAY DEE II
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 개시내용의 실시예들은 프로세싱 동안 기판들을 고정시키기 위한 정전 척들을 제공한다. 본 개시내용의 일부 실시예들은 기판의 방사상 프로파일에 걸쳐 증가된 온도 제어를 위한 방법들 및 장치를 제공한다. 본 개시내용의 일부 실시예들은, 고밀도 플라즈마(HDP) 프로세스 동안, 프로세싱된 막들 내의 수소 농도의 제어를 제공하기 위한 방법들 및 장치를 제공한다. Embodiments of the disclosure provide electrostatic chucks for securing substrates during processing. Some embodiments of this disclosure provide methods and apparatus for increased temperature control across the radial profile of the substrate. Some embodiments of the disclosure provide methods and apparatus for providing control of hydrogen concentration in processed films during a high-density plasma (HDP) process.