인-피처 (in-feature) 습식 에칭 레이트 비 감소

본 명세서의 다양한 실시 예들은 열적 원자 층 증착 (atomic layer deposition) 또는 열적 화학적 기상 증착 (chemical vapor deposition) 을 사용하여 실리콘 옥사이드를 증착하기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 개시된 실시 예들의 일 양태에서, 실리콘 옥사이드를 증착하기 위한 방법이 제공되고, 방법은: (a) 반응 챔버 내에 기판을 수용하는 단계; (b) 제 1 반응 물질의 제 1 플로우를 반응 챔버 내로 도입하고 그리고 기판을 제 1 반응 물질에 노출시키는 단계로서, 제 1 반응 물질은 실리콘-함유 반응 물질을 포함하는, 제 1 반응 물질 도입 및 노출 단계; (c) 제 1 반응 물질과 제 2 반응 물질 사이의 반응을 유발하도록 제 2 반응 물질의 제 2 플로우를 반응 챔버 내로 도입하는 단계를 포함하고, (i) 제 2 반응 물질은 수소 (H2) 및 산소-함유 반응 물질을 포함하고, (ii) 반응은 기판 상에 실리콘 옥사이드를 증착하고, 그리고 (iii) 반응은 반응 챔버 내의 압력이 10 Torr 초과이고 약 40 Torr 이하일 때 개시된다. Various embodiments herein relate to methods and apparatus for depositing silicon oxide using thermal ALD or thermal CVD. In one aspect of the disclosed embodiments, a method for depositing silicon oxide is provided, the method including: (a) receiving the substrate in a reaction chamber; (b) introducing a first flow of a first reactant into the reaction chamber and exposing the substrate to the first reactant, where the first reactant includes a silicon-containing reactant; (c) introducing a second flow of a second reactant into the reaction chamber to cause a reaction between the first reactant and the second reactant, (i) where the second reactant includes hydrogen (H2) and an oxygen-containing reactant, (ii) where the reaction deposits silicon oxide on the substrate, and (iii) where the reaction is initiated when a pressure in the reaction chamber is greater than 10 Torr and equal to or less than about 40 Torr.