LOCAL SHAPE DEVIATION IN A SEMICONDUCTOR SPECIMEN

The present invention provides a method for detecting local shape deviation of a structural element in a semiconductor specimen and a system for the same. The method for detecting local shape deviation of a structural element in a semiconductor specimen includes: a step of obtaining an image including image expression of a structural element; a step of extracting an actual outline of the image expression from the image; a step of estimating a reference outline of the image expression indicating a standard shape of the structural element, wherein the reference outline is estimated based on a Fourier expert indicating the reference outline and the Fourier expert is estimated by using an optimization method based on a specifically selected loss function to be insensitive to local shape deviation of the actual outline; and a step of performing one or more measurements indicating one or more differences between the actual outline and the reference outline, wherein the measurements indicate whether the local shape deviation exists in the structural element. 반도체 시편에서의 구조적 요소의 국부적 형상 편차를 검출하는 방법 및 시스템이 제공되고, 이는: 구조적 요소의 이미지 표현을 포함하는 이미지를 획득하는 단계; 이미지로부터, 이미지 표현의 실제 윤곽을 추출하는 단계; 구조적 요소의 표준 형상을 나타내는 이미지 표현의 기준 윤곽을 추정하는 단계 - 기준 윤곽은 기준 윤곽을 나타내는 푸리에 기술자에 기초하여 추정되고, 푸리에 기술자는 실제 윤곽의 국부적 형상 편차에 둔감하도록 구체적으로 선택된 손실 함수에 기초한 최적화 방법을 사용하여 추정됨 -; 실제 윤곽과 기준 윤곽 사이의 하나 이상의 차이를 나타내는 하나 이상의 측정을 수행하는 단계 - 측정들은 국부적 형상 편차가 구조적 요소에 존재하는지 여부를 나타냄 - 를 포함한다.