ON-DIE TEMPERATURE CONTROL FOR SEMICONDUCTOR DIE ASSEMBLIES AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Disclosed are on-die temperature control for semiconductor die assemblies and associated systems and methods. In an embodiment of the present invention, a semiconductor device assembly includes first and second semiconductor dies directly bonded to each other. Each semiconductor die includes conductive pads and resistance heating components in a dielectric layer. The resistance heating components are located close to the conductive pads for supplying local thermal energy to the conductive pads in response to currents flowing through the resistance heating components. In some embodiments of the present invention, conductive pads of the first semiconductor die are directly bonded to conductive pads of the second semiconductor die at a first temperature which is lower than the second temperature for thermal expansion of conductive pads without local thermal energy generated by resistance heating components. 반도체 다이 어셈블리들을 위한 온-다이 온도 제어 및 관련 시스템들 및 방법들이 개시된다. 실시예에서, 반도체 디바이스 어셈블리는 서로 직접 접합된 제1 및 제2 반도체 다이들을 포함한다. 반도체 다이들 각각은 유전체층 내의 전도성 패드들 및 저항성 가열 구성요소들을 포함하며, 저항성 가열 구성요소들은 저항성 가열 구성요소들을 통해 흐르는 전류에 응답하여 국부적인 열 에너지를 전도성 패드들에 공급하기 위해 전도성 패드들에 근접하여 위치된다. 일부 실시예들에서, 제1 반도체 다이의 전도성 패드들은 저항성 가열 구성요소들에 의해 발생되는 국부적인 열 에너지 없이 전도성 패드들의 열 팽창을 위해 제2 온도보다 낮은 제1 온도에서 제2 반도체 다이의 전도 패드들에 직접 접합된다.