FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS

At the time of cleaning the inside of a processing container with a fluorine-containing gas after a film formation process, an effect on film formation of aluminum fluoride generated by reaction of the fluorine-containing gas, which is a cleaning gas, and a loading table containing aluminum is suppressed. The film formation method repeatedly performs a process of continuously forming a film on one substrate or on a plurality of substrates by supplying a gas for film formation into the processing container while heating the substrate on the loading table, a process of cleaning the inside of the processing container with the fluorine-containing gas in a state in which the substrate is taken out of the processing container, and a process of generating a plasma of a gas containing oxygen and hydrogen in the processing container and performing post-processing. 성막 처리 후의 불소 함유 가스에 의한 처리 용기 내의 클리닝 시에, 클리닝 가스인 불소 함유 가스와 알루미늄을 함유하는 적재대의 반응에 의해 생성하는 알루미늄 불화물의 성막에 대한 영향을 억제한다. 성막 방법은, 적재대 상에서 기판을 가열하면서 처리 용기 내에 성막용 가스를 공급하여, 1매의 기판에 대하여 또는 복수의 기판에 대하여 연속적으로 막을 형성하는 공정과, 처리 용기로부터 기판을 반출한 상태에서, 불소 함유 가스에 의해 처리 용기 내를 클리닝하는 공정과, 처리 용기 내에 산소와 수소를 포함하는 가스의 플라스마를 생성해서 후처리를 행하는 공정을 반복해서 행한다.