ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION CELL AND ANTENNA INTEGRATED WITH THROUGH SILICON VIA

Disclosed is a semiconductor device comprising: a through-silicon via (TSV) disposed in a TSV region of a substrate to extend through the substrate; an ESD cell adjacent to a first end portion of the TSV to come in contact with the TSV region, wherein the ESD cell includes a set of diodes electrically connected in parallel to each other; an antenna pad electrically connected to a second end portion of the TSV; and an antenna electrically connected to the antenna pad and extending in a first direction parallel to the long axis of the TSV. The semiconductor device includes a conductive pillar extending parallel to the TSV on the same side of the substrate as the antenna pad, wherein a first end portion of the conductive pillar is electrically connected to the antenna pad and a second end portion of the conductive pillar is electrically connected to the set of the diodes in the ESD cell. 반도체 디바이스는 기판의 관통 실리콘 비아(through-silicon via, TSV) 구역에 있고 기판을 관통하여 연장되는 관통 실리콘 비아(TSV); 상기 TSV의 제1 단부에 근접하고 상기 TSV 구역과 접촉하며, 서로 병렬로 전기적으로 연결된 다이오드들의 세트를 포함하는 ESD 셀; 상기 TSV의 제2 단부에 전기적으로 연결된 안테나 패드; 및 상기 안테나 패드에 전기적으로 연결되고 상기 TSV의 장축과 평행한 제1 방향으로 연장되는 안테나를 포함한다. 상기 반도체 디바이스는 상기 기판에서 상기 안테나 패드와 동일한 측에서 상기 TSV에 평행하게 연장되는 전도성 필라(conductive pillar)를 포함하고, 상기 전도성 필라의 제1 단부는 상기 안테나 패드에 전기적으로 연결되고, 상기 전도성 필라의 제2 단부는 상기 ESD 셀의 상기 다이오드들의 세트에 전기적으로 연결된다.