METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A PATTERNED LAYER OF CARBON METHOD OF FORMING A PATTERNED LAYER OF MATERIAL

패턴화된 탄소층을 형성하기 위한 방법 및 장치가 개시되어 있다. 일 구성에서, 고체 구조물의 표면의 선택된 부분은 탄소 함유 전구체의 존재 하에서 극자외선 방사선으로 조사된다. 이 방사선은 선택된 부분의 고체 구조물과 상호작용하여 탄소 함유 전구체로부터 선택된 부분에 탄소층을 형성한다. 상기 탄소층은 선택된 부분에 의해 정해진 패턴으로 형성된다. Methods and apparatus for forming a patterned layer of carbon are disclosed. In one arrangement, a select...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	FRENKEN JOOST WILHELMUS MARIA, VERHOEVEN JAN, CASTELLANOS ORTEGA SONIA, ANTONOV PAVLO, LUGIER OLIVIER CHRISTIAN MAURICE, TEN KATE NICOLAAS
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	패턴화된 탄소층을 형성하기 위한 방법 및 장치가 개시되어 있다. 일 구성에서, 고체 구조물의 표면의 선택된 부분은 탄소 함유 전구체의 존재 하에서 극자외선 방사선으로 조사된다. 이 방사선은 선택된 부분의 고체 구조물과 상호작용하여 탄소 함유 전구체로부터 선택된 부분에 탄소층을 형성한다. 상기 탄소층은 선택된 부분에 의해 정해진 패턴으로 형성된다. Methods and apparatus for forming a patterned layer of carbon are disclosed. In one arrangement, a selected portion of a surface of a solid structure is irradiated with extreme ultraviolet radiation in the presence of a carbon-containing precursor. The radiation interacts with the solid structure in the selected portion to cause formation of a layer of carbon in the selected portion from the carbon-containing precursor. The layer of carbon is formed in a pattern defined by the selected portion.