도핑 코팅 방법, 이 방법을 사용한 삼원계 양극 소재의 개질 방법 및 응용
본 개시는 도핑 코팅 방법, 이 방법을 사용한 삼원계 양극 소재의 개질 방법 및 응용을 제공하며, 도핑 코팅 첨가제를 공용매와 혼합하고, 예비소결한 다음 세척하고 건조 후 저융점 첨가제를 얻으며, 소결의 방법을 사용하여 개질하고자 하는 소재에 대해 도핑 처리 및/또는 코팅 처리를 수행하는 것을 포함한다. 해당 방법은 도핑 및 코팅의 소결 온도 및 시간을 적절히 감소시키고, 도핑의 균일도와 코팅 결합 견고정도를 적절히 높이며, 또한 공정 요구를 낮출 수 있다. The present disclosure provides a doping...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 본 개시는 도핑 코팅 방법, 이 방법을 사용한 삼원계 양극 소재의 개질 방법 및 응용을 제공하며, 도핑 코팅 첨가제를 공용매와 혼합하고, 예비소결한 다음 세척하고 건조 후 저융점 첨가제를 얻으며, 소결의 방법을 사용하여 개질하고자 하는 소재에 대해 도핑 처리 및/또는 코팅 처리를 수행하는 것을 포함한다. 해당 방법은 도핑 및 코팅의 소결 온도 및 시간을 적절히 감소시키고, 도핑의 균일도와 코팅 결합 견고정도를 적절히 높이며, 또한 공정 요구를 낮출 수 있다.
The present disclosure provides a doping and coating method, a method for modifying a ternary positive electrode material using same, and the use. The doping and coating method comprises: mixing a doping and coating additive with a co-solvent, pre-sintering, washing, and drying to obtain a low-melting-point additive, and performing, by using a sintering method, doping treatment and/or coating on a material to be modified. According to the method, the sintering temperature and time of doping and coating can be properly reduced, the doping uniformity and the coating bonding firmness are properly improved, and the process requirements are reduced. |
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