Semiconductor device and memory device comprising the same

Provided are a semiconductor device and a memory device including the same. The semiconductor device includes an error amplifier for receiving a voltage of an output node and a reference voltage, a flipped voltage follower (FVF) circuit for receiving an output of the error amplifier and maintaining the voltage of the output node at the reference voltage, and a bias current control circuit for controlling, based on first to third mode signals provided from the outside, the magnitude of a bias current flowing through the FVF circuit. The bias current control circuit controls the bias current of a first magnitude to flow through the FVF circuit, based on the first mode signal, controls the bias current of a second magnitude smaller than the first magnitude, to flow through the FVF circuit, based on the second mode signal, and controls the bias current of a third magnitude smaller than the second magnitude to flow through the FVF circuit, based on the third mode signal. The present invention can maintain a voltage stably. 반도체 장치 및 이를 포함하는 메모리 장치가 제공된다. 반도체 장치는, 출력 노드의 전압과 레퍼런스 전압을 입력받는 에러 앰프, 에러 앰프의 출력을 제공받아 출력 노드의 전압을 레퍼런스 전압으로 유지시키는 FVF(Flipped Voltage Follower) 회로, 및 외부로부터 제공받은 제1 내지 제3 모드 신호를 기초로 FVF 회로에 흐르는 바이어스 전류의 크기를 제어하는 바이어스 전류 제어 회로를 포함하되, 바이어스 전류 제어 회로는, 제1 모드 신호에 응답하여, 제1 크기의 바이어스 전류가 FVF 회로에 흐르도록 제어하고, 제2 모드 신호에 응답하여, 제1 크기보다 작은 제2 크기의 바이어스 전류가 FVF 회로에 흐르도록 제어하고, 제3 모드 신호에 응답하여, 제2 크기보다 작은 제3 크기의 바이어스 전류가 FVF 회로에 흐르도록 제어한다.