SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FORMING THE SAME

A semiconductor package with reliability and a method of forming the same are provided. The semiconductor package includes: a semiconductor substrate which has a front side and a rear side facing each other, and has a chip area and a dummy area surrounding the chip area; a front structure below the front side of the semiconductor substrate, and including an internal circuit, an internal connection pattern, a guard pattern, and a front insulating structure; a rear protective layer overlapping the chip area and the dummy area on the rear side, and a rear protrusion pattern overlapping the dummy area on the rear protective layer; a through-electrode structure penetrating through the chip area of the semiconductor substrate and the rear protective layer, and electrically connected to the internal connection pattern in the front structure; and a rear pad electrically connected to the through-electrode structure on the rear protective layer and the through-electrode structure and spaced apart from the rear protrusion pattern. The internal circuit and the internal connection pattern are below the chip area of the semiconductor substrate, and the guard pattern is below the chip area of the semiconductor substrate adjacent to the dummy area. 반도체 패키지 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 반도체 패키지는 서로 대향하는 전면 및 후면을 갖고, 칩 영역 및 상기 칩 영역을 둘러싸는 더미 영역을 갖는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상기 전면 아래에서, 내부 회로, 내부 연결 패턴, 가드 패턴 및 전면 절연성 구조물을 포함하는 전면 구조물; 상기 반도체 기판의 상기 후면 상에서, 상기 칩 영역 및 상기 더미 영역과 중첩하는 후면 보호 층 및 상기 후면 보호 층 상에서 상기 더미 영역과 중첩하는 후면 돌출 패턴; 상기 반도체 기판의 상기 칩 영역 및 상기 후면 보호 층을 관통하고, 상기 전면 구조물 내의 상기 내부 연결 패턴과 전기적으로 연결되는 관통 전극 구조물; 및 상기 후면 보호 층 및 상기 관통 전극 구조물 상에서 상기 관통 전극 구조물과 전기적으로 연결되고, 상기 후면 돌출 패턴과 이격되는 후면 패드를 포함한다. 상기 내부 회로 및 상기 내부 연결 패턴은 상기 반도체 기판의 상기 칩 영역 아래에 배치되고, 상기 가드 패턴은 상기 더미 영역과 인접하는 상기 반도체 기판의 상기 칩 영역 아래 배치된다.