이온 빔 발산 최소화를 위한 튜닝 장치

이온 빔 발산 최소화를 위한 튜닝 장치

이온 주입 시스템은 이온 빔을 형성하도록 구성된 이온 소스를 가진다. 질량 분석기는 이온 빔을 질량 분석하고, 스캐닝 요소는 이온 빔을 수평 방향으로 스캔하고 평행화 렌즈는 팬아웃(fanning-out) 스캔된 빔을 평행 이동 스캐닝 이온 빔으로 변환한다. 평균 입사각뿐만 아니라 고도로 정렬된 이온 입사각과 조밀한 각도 분포가 필요한 응용의 경우, 슬릿 장치는 평행화 렌즈의 수평 및/또는 수직 전면 초점에 배치된다. 공작물에 대한 이온 빔의 최소 수평 및/또는 수직 각도 분포가 슬릿 시스템을 통한 최상의 빔 전송을 위해 스캐닝 요소...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PLATOW WILHELM, SATOH SHU
Format: Patent
Sprache:kor
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
ELECTRICITY
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator PLATOW WILHELM
SATOH SHU
description 이온 주입 시스템은 이온 빔을 형성하도록 구성된 이온 소스를 가진다. 질량 분석기는 이온 빔을 질량 분석하고, 스캐닝 요소는 이온 빔을 수평 방향으로 스캔하고 평행화 렌즈는 팬아웃(fanning-out) 스캔된 빔을 평행 이동 스캐닝 이온 빔으로 변환한다. 평균 입사각뿐만 아니라 고도로 정렬된 이온 입사각과 조밀한 각도 분포가 필요한 응용의 경우, 슬릿 장치는 평행화 렌즈의 수평 및/또는 수직 전면 초점에 배치된다. 공작물에 대한 이온 빔의 최소 수평 및/또는 수직 각도 분포가 슬릿 시스템을 통한 최상의 빔 전송을 위해 스캐닝 요소의 상류에 있는 빔 포커싱 렌즈를 제어함으로써 획득된다. An ion implantation system has an ion source configured to form an ion beam. A mass analyzer mass analyzes the ion beam, a scanning element scans the ion beam in a horizontal direction and a parallelizing lens translates the fanned-out scanned beam into parallel shifting scanning ion beam. For applications needing not only a mean incident angle, but highly-aligned ion incident angles and a tight angular distribution, a slit apparatus is positioned at horizontal and/or vertical front focal points of the parallelizing lens. Minimum horizontal and/or vertical angular distributions of the ion beam on the workpiece are attained by controlling a beam focusing lens upstream of the scanning element for the best beam transmission through the slit system.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_KR20230024924A</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>KR20230024924A</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_KR20230024924A3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDB-M3fLmxkrFF7vnKLwesOcN00bFN5snfOmreftzCmvl-5ReDOn5e3UOQpvu-a87p6r8Gbe0jc7Z_AwsKYl5hSn8kJpbgZlN9cQZw_d1IL8-NTigsTk1LzUknjvICMDI2MDAyMTSyMTR2PiVAEACy47AQ</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>이온 빔 발산 최소화를 위한 튜닝 장치</title><source>esp@cenet</source><creator>PLATOW WILHELM ; SATOH SHU</creator><creatorcontrib>PLATOW WILHELM ; SATOH SHU</creatorcontrib><description>이온 주입 시스템은 이온 빔을 형성하도록 구성된 이온 소스를 가진다. 질량 분석기는 이온 빔을 질량 분석하고, 스캐닝 요소는 이온 빔을 수평 방향으로 스캔하고 평행화 렌즈는 팬아웃(fanning-out) 스캔된 빔을 평행 이동 스캐닝 이온 빔으로 변환한다. 평균 입사각뿐만 아니라 고도로 정렬된 이온 입사각과 조밀한 각도 분포가 필요한 응용의 경우, 슬릿 장치는 평행화 렌즈의 수평 및/또는 수직 전면 초점에 배치된다. 공작물에 대한 이온 빔의 최소 수평 및/또는 수직 각도 분포가 슬릿 시스템을 통한 최상의 빔 전송을 위해 스캐닝 요소의 상류에 있는 빔 포커싱 렌즈를 제어함으로써 획득된다. An ion implantation system has an ion source configured to form an ion beam. A mass analyzer mass analyzes the ion beam, a scanning element scans the ion beam in a horizontal direction and a parallelizing lens translates the fanned-out scanned beam into parallel shifting scanning ion beam. For applications needing not only a mean incident angle, but highly-aligned ion incident angles and a tight angular distribution, a slit apparatus is positioned at horizontal and/or vertical front focal points of the parallelizing lens. Minimum horizontal and/or vertical angular distributions of the ion beam on the workpiece are attained by controlling a beam focusing lens upstream of the scanning element for the best beam transmission through the slit system.</description><language>kor</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRICITY</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20230221&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20230024924A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76318</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20230221&amp;DB=EPODOC&amp;CC=KR&amp;NR=20230024924A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>PLATOW WILHELM</creatorcontrib><creatorcontrib>SATOH SHU</creatorcontrib><title>이온 빔 발산 최소화를 위한 튜닝 장치</title><description>이온 주입 시스템은 이온 빔을 형성하도록 구성된 이온 소스를 가진다. 질량 분석기는 이온 빔을 질량 분석하고, 스캐닝 요소는 이온 빔을 수평 방향으로 스캔하고 평행화 렌즈는 팬아웃(fanning-out) 스캔된 빔을 평행 이동 스캐닝 이온 빔으로 변환한다. 평균 입사각뿐만 아니라 고도로 정렬된 이온 입사각과 조밀한 각도 분포가 필요한 응용의 경우, 슬릿 장치는 평행화 렌즈의 수평 및/또는 수직 전면 초점에 배치된다. 공작물에 대한 이온 빔의 최소 수평 및/또는 수직 각도 분포가 슬릿 시스템을 통한 최상의 빔 전송을 위해 스캐닝 요소의 상류에 있는 빔 포커싱 렌즈를 제어함으로써 획득된다. An ion implantation system has an ion source configured to form an ion beam. A mass analyzer mass analyzes the ion beam, a scanning element scans the ion beam in a horizontal direction and a parallelizing lens translates the fanned-out scanned beam into parallel shifting scanning ion beam. For applications needing not only a mean incident angle, but highly-aligned ion incident angles and a tight angular distribution, a slit apparatus is positioned at horizontal and/or vertical front focal points of the parallelizing lens. Minimum horizontal and/or vertical angular distributions of the ion beam on the workpiece are attained by controlling a beam focusing lens upstream of the scanning element for the best beam transmission through the slit system.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRICITY</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDB-M3fLmxkrFF7vnKLwesOcN00bFN5snfOmreftzCmvl-5ReDOn5e3UOQpvu-a87p6r8Gbe0jc7Z_AwsKYl5hSn8kJpbgZlN9cQZw_d1IL8-NTigsTk1LzUknjvICMDI2MDAyMTSyMTR2PiVAEACy47AQ</recordid><startdate>20230221</startdate><enddate>20230221</enddate><creator>PLATOW WILHELM</creator><creator>SATOH SHU</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230221</creationdate><title>이온 빔 발산 최소화를 위한 튜닝 장치</title><author>PLATOW WILHELM ; SATOH SHU</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20230024924A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2023</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</topic><topic>ELECTRICITY</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>PLATOW WILHELM</creatorcontrib><creatorcontrib>SATOH SHU</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>PLATOW WILHELM</au><au>SATOH SHU</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>이온 빔 발산 최소화를 위한 튜닝 장치</title><date>2023-02-21</date><risdate>2023</risdate><abstract>이온 주입 시스템은 이온 빔을 형성하도록 구성된 이온 소스를 가진다. 질량 분석기는 이온 빔을 질량 분석하고, 스캐닝 요소는 이온 빔을 수평 방향으로 스캔하고 평행화 렌즈는 팬아웃(fanning-out) 스캔된 빔을 평행 이동 스캐닝 이온 빔으로 변환한다. 평균 입사각뿐만 아니라 고도로 정렬된 이온 입사각과 조밀한 각도 분포가 필요한 응용의 경우, 슬릿 장치는 평행화 렌즈의 수평 및/또는 수직 전면 초점에 배치된다. 공작물에 대한 이온 빔의 최소 수평 및/또는 수직 각도 분포가 슬릿 시스템을 통한 최상의 빔 전송을 위해 스캐닝 요소의 상류에 있는 빔 포커싱 렌즈를 제어함으로써 획득된다. An ion implantation system has an ion source configured to form an ion beam. A mass analyzer mass analyzes the ion beam, a scanning element scans the ion beam in a horizontal direction and a parallelizing lens translates the fanned-out scanned beam into parallel shifting scanning ion beam. For applications needing not only a mean incident angle, but highly-aligned ion incident angles and a tight angular distribution, a slit apparatus is positioned at horizontal and/or vertical front focal points of the parallelizing lens. Minimum horizontal and/or vertical angular distributions of the ion beam on the workpiece are attained by controlling a beam focusing lens upstream of the scanning element for the best beam transmission through the slit system.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language kor
recordid cdi_epo_espacenet_KR20230024924A
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
ELECTRICITY
title 이온 빔 발산 최소화를 위한 튜닝 장치
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-10T20%3A57%3A06IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=PLATOW%20WILHELM&rft.date=2023-02-21&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EKR20230024924A%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true