이온 빔 발산 최소화를 위한 튜닝 장치

이온 주입 시스템은 이온 빔을 형성하도록 구성된 이온 소스를 가진다. 질량 분석기는 이온 빔을 질량 분석하고, 스캐닝 요소는 이온 빔을 수평 방향으로 스캔하고 평행화 렌즈는 팬아웃(fanning-out) 스캔된 빔을 평행 이동 스캐닝 이온 빔으로 변환한다. 평균 입사각뿐만 아니라 고도로 정렬된 이온 입사각과 조밀한 각도 분포가 필요한 응용의 경우, 슬릿 장치는 평행화 렌즈의 수평 및/또는 수직 전면 초점에 배치된다. 공작물에 대한 이온 빔의 최소 수평 및/또는 수직 각도 분포가 슬릿 시스템을 통한 최상의 빔 전송을 위해 스캐닝 요소의 상류에 있는 빔 포커싱 렌즈를 제어함으로써 획득된다. An ion implantation system has an ion source configured to form an ion beam. A mass analyzer mass analyzes the ion beam, a scanning element scans the ion beam in a horizontal direction and a parallelizing lens translates the fanned-out scanned beam into parallel shifting scanning ion beam. For applications needing not only a mean incident angle, but highly-aligned ion incident angles and a tight angular distribution, a slit apparatus is positioned at horizontal and/or vertical front focal points of the parallelizing lens. Minimum horizontal and/or vertical angular distributions of the ion beam on the workpiece are attained by controlling a beam focusing lens upstream of the scanning element for the best beam transmission through the slit system.