금속 기판의 표면 처리를 위한 수성 염기성 에칭 조성물
본 발명은 금속 기판의 표면 처리를 위한 수성 염기성 에칭 조성물로서, 하기: (a) 하기 화학식 I 및 II 의 화합물 및/또는 그의 염을 포함하는 군으로부터 선택된 작용기화 우레아, 뷰렛 및 구아니딘 유도체 및/또는 그의 염: JPEGpct00022.jpg38151 식 중 X 및 Y 는 산소, NRR' 및 NR5 를 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, R, R' 및 R5 는 R1, 수소, 폴리에틸렌 글리콜, 방향족 화합물, 및 C1-C4 알킬을 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, 방향족 화합물 및 C...
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| creator | BRUNNER HEIKO KOHLMANN LARS |
| description | 본 발명은 금속 기판의 표면 처리를 위한 수성 염기성 에칭 조성물로서, 하기: (a) 하기 화학식 I 및 II 의 화합물 및/또는 그의 염을 포함하는 군으로부터 선택된 작용기화 우레아, 뷰렛 및 구아니딘 유도체 및/또는 그의 염: JPEGpct00022.jpg38151 식 중 X 및 Y 는 산소, NRR' 및 NR5 를 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, R, R' 및 R5 는 R1, 수소, 폴리에틸렌 글리콜, 방향족 화합물, 및 C1-C4 알킬을 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, 방향족 화합물 및 C1-C4 알킬은 OR6 으로서 선택되는 적어도 하나의 치환기를 임의로 포함하고, R6 은 수소 및 C1-C4 알킬을 포함하는 군으로부터 선택되고, X 및 Y 는 동일하거나 상이할 수 있고; R1 및 R2 는 수소, 알킬 화합물, 아민 및 질소-포함 헤테로방향족 화합물을 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, R1 및 R2 는 동일하거나 상이할 수 있으며, 단 R1 은 수소일 수 없고, 단, 화학식 I 의 화합물에서 R1 은 X 가 산소인 경우 수소 또는 알킬 화합물일 수 없고; m 은 1 내지 4 의 정수, 바람직하게는 3 이고; n 은 0 내지 8, 바람직하게 2 내지 4 의 정수이고; m 및 n 은 동일하거나 상이할 수 있음; (b) 처리되는 금속 표면의 금속을 산화시키기 위한 산화제 를 포함하고; 수성 염기성 에칭 조성물의 pH 는 7.1 내지 14 를 포함하는 수성 염기성 에칭 조성물에 관한 것이다.
The present invention is directed to an aqueous basic etching composition for the treatment of surfaces of metal substrates, the composition comprising:(a) functionalized urea, biuret and guanidine derivatives and/or salts thereof selected from the group comprising compounds having formulae I and II and/or salts thereof:whereinX and Y are independently selected from the group comprising oxygen, NRR' and NR5,wherein R, R' and R5 are independently selected from the group comprising R1, hydrogen, polyethylene glycoles, aromatic compounds, and C1-C4 alkyl, wherein the aromatic compounds and C1-C4 alkyl optionally comprise at least one substituent selected as OR6,wherein R6 is selected from the group comprising hydrogen and C1-C4 alkyl,wherein X and Y can be identical or different;R1 and R2 are independently selected from the group comprising hydrogen, alkyl compounds, amines, and nitrogen-comprising heteroaromatic compounds,wherein R1 and R2 can be identical or different, with the proviso that R1 cannot be hydrogen;m is an integer from 1 to 4, preferably 3; andn is an integer from 0 to 8, preferably 2 to 4;wherein m and n can be identical or different;(b) an oxidizing agent for oxidizing the metals of the metal surface to be treated; andwherein the aqueous basic etching composition comprises a pH from 7.1 to 14. |
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The present invention is directed to an aqueous basic etching composition for the treatment of surfaces of metal substrates, the composition comprising:(a) functionalized urea, biuret and guanidine derivatives and/or salts thereof selected from the group comprising compounds having formulae I and II and/or salts thereof:whereinX and Y are independently selected from the group comprising oxygen, NRR' and NR5,wherein R, R' and R5 are independently selected from the group comprising R1, hydrogen, polyethylene glycoles, aromatic compounds, and C1-C4 alkyl, wherein the aromatic compounds and C1-C4 alkyl optionally comprise at least one substituent selected as OR6,wherein R6 is selected from the group comprising hydrogen and C1-C4 alkyl,wherein X and Y can be identical or different;R1 and R2 are independently selected from the group comprising hydrogen, alkyl compounds, amines, and nitrogen-comprising heteroaromatic compounds,wherein R1 and R2 can be identical or different, with the proviso that R1 cannot be hydrogen;m is an integer from 1 to 4, preferably 3; andn is an integer from 0 to 8, preferably 2 to 4;wherein m and n can be identical or different;(b) an oxidizing agent for oxidizing the metals of the metal surface to be treated; andwherein the aqueous basic etching composition comprises a pH from 7.1 to 14.</description><language>kor</language><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLICMATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASSC23 AND AT LEAST ONEPROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25 ; NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230220&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20230024301A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230220&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20230024301A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>BRUNNER HEIKO</creatorcontrib><creatorcontrib>KOHLMANN LARS</creatorcontrib><title>금속 기판의 표면 처리를 위한 수성 염기성 에칭 조성물</title><description>본 발명은 금속 기판의 표면 처리를 위한 수성 염기성 에칭 조성물로서, 하기: (a) 하기 화학식 I 및 II 의 화합물 및/또는 그의 염을 포함하는 군으로부터 선택된 작용기화 우레아, 뷰렛 및 구아니딘 유도체 및/또는 그의 염: JPEGpct00022.jpg38151 식 중 X 및 Y 는 산소, NRR' 및 NR5 를 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, R, R' 및 R5 는 R1, 수소, 폴리에틸렌 글리콜, 방향족 화합물, 및 C1-C4 알킬을 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, 방향족 화합물 및 C1-C4 알킬은 OR6 으로서 선택되는 적어도 하나의 치환기를 임의로 포함하고, R6 은 수소 및 C1-C4 알킬을 포함하는 군으로부터 선택되고, X 및 Y 는 동일하거나 상이할 수 있고; R1 및 R2 는 수소, 알킬 화합물, 아민 및 질소-포함 헤테로방향족 화합물을 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, R1 및 R2 는 동일하거나 상이할 수 있으며, 단 R1 은 수소일 수 없고, 단, 화학식 I 의 화합물에서 R1 은 X 가 산소인 경우 수소 또는 알킬 화합물일 수 없고; m 은 1 내지 4 의 정수, 바람직하게는 3 이고; n 은 0 내지 8, 바람직하게 2 내지 4 의 정수이고; m 및 n 은 동일하거나 상이할 수 있음; (b) 처리되는 금속 표면의 금속을 산화시키기 위한 산화제 를 포함하고; 수성 염기성 에칭 조성물의 pH 는 7.1 내지 14 를 포함하는 수성 염기성 에칭 조성물에 관한 것이다.
The present invention is directed to an aqueous basic etching composition for the treatment of surfaces of metal substrates, the composition comprising:(a) functionalized urea, biuret and guanidine derivatives and/or salts thereof selected from the group comprising compounds having formulae I and II and/or salts thereof:whereinX and Y are independently selected from the group comprising oxygen, NRR' and NR5,wherein R, R' and R5 are independently selected from the group comprising R1, hydrogen, polyethylene glycoles, aromatic compounds, and C1-C4 alkyl, wherein the aromatic compounds and C1-C4 alkyl optionally comprise at least one substituent selected as OR6,wherein R6 is selected from the group comprising hydrogen and C1-C4 alkyl,wherein X and Y can be identical or different;R1 and R2 are independently selected from the group comprising hydrogen, alkyl compounds, amines, and nitrogen-comprising heteroaromatic compounds,wherein R1 and R2 can be identical or different, with the proviso that R1 cannot be hydrogen;m is an integer from 1 to 4, preferably 3; andn is an integer from 0 to 8, preferably 2 to 4;wherein m and n can be identical or different;(b) an oxidizing agent for oxidizing the metals of the metal surface to be treated; andwherein the aqueous basic etching composition comprises a pH from 7.1 to 14.</description><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLICMATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASSC23 AND AT LEAST ONEPROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25</subject><subject>NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPB6taPjTVuvwqsdG972THgzd4bC24lzXq_covBm04zXy9a8XrpH4c2clrdT5yi86ZjxpmWjwpvpe4BqIawJb3auVXizEMR7vWYPDwNrWmJOcSovlOZmUHZzDXH20E0tyI9PLS5ITE7NSy2J9w4yMjAyNjAwMjE2MHQ0Jk4VAIs5StQ</recordid><startdate>20230220</startdate><enddate>20230220</enddate><creator>BRUNNER HEIKO</creator><creator>KOHLMANN LARS</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230220</creationdate><title>금속 기판의 표면 처리를 위한 수성 염기성 에칭 조성물</title><author>BRUNNER HEIKO ; KOHLMANN LARS</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20230024301A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2023</creationdate><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLICMATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASSC23 AND AT LEAST ONEPROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25</topic><topic>NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>BRUNNER HEIKO</creatorcontrib><creatorcontrib>KOHLMANN LARS</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>BRUNNER HEIKO</au><au>KOHLMANN LARS</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>금속 기판의 표면 처리를 위한 수성 염기성 에칭 조성물</title><date>2023-02-20</date><risdate>2023</risdate><abstract>본 발명은 금속 기판의 표면 처리를 위한 수성 염기성 에칭 조성물로서, 하기: (a) 하기 화학식 I 및 II 의 화합물 및/또는 그의 염을 포함하는 군으로부터 선택된 작용기화 우레아, 뷰렛 및 구아니딘 유도체 및/또는 그의 염: JPEGpct00022.jpg38151 식 중 X 및 Y 는 산소, NRR' 및 NR5 를 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, R, R' 및 R5 는 R1, 수소, 폴리에틸렌 글리콜, 방향족 화합물, 및 C1-C4 알킬을 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, 방향족 화합물 및 C1-C4 알킬은 OR6 으로서 선택되는 적어도 하나의 치환기를 임의로 포함하고, R6 은 수소 및 C1-C4 알킬을 포함하는 군으로부터 선택되고, X 및 Y 는 동일하거나 상이할 수 있고; R1 및 R2 는 수소, 알킬 화합물, 아민 및 질소-포함 헤테로방향족 화합물을 포함하는 군으로부터 독립적으로 선택되고, R1 및 R2 는 동일하거나 상이할 수 있으며, 단 R1 은 수소일 수 없고, 단, 화학식 I 의 화합물에서 R1 은 X 가 산소인 경우 수소 또는 알킬 화합물일 수 없고; m 은 1 내지 4 의 정수, 바람직하게는 3 이고; n 은 0 내지 8, 바람직하게 2 내지 4 의 정수이고; m 및 n 은 동일하거나 상이할 수 있음; (b) 처리되는 금속 표면의 금속을 산화시키기 위한 산화제 를 포함하고; 수성 염기성 에칭 조성물의 pH 는 7.1 내지 14 를 포함하는 수성 염기성 에칭 조성물에 관한 것이다.
The present invention is directed to an aqueous basic etching composition for the treatment of surfaces of metal substrates, the composition comprising:(a) functionalized urea, biuret and guanidine derivatives and/or salts thereof selected from the group comprising compounds having formulae I and II and/or salts thereof:whereinX and Y are independently selected from the group comprising oxygen, NRR' and NR5,wherein R, R' and R5 are independently selected from the group comprising R1, hydrogen, polyethylene glycoles, aromatic compounds, and C1-C4 alkyl, wherein the aromatic compounds and C1-C4 alkyl optionally comprise at least one substituent selected as OR6,wherein R6 is selected from the group comprising hydrogen and C1-C4 alkyl,wherein X and Y can be identical or different;R1 and R2 are independently selected from the group comprising hydrogen, alkyl compounds, amines, and nitrogen-comprising heteroaromatic compounds,wherein R1 and R2 can be identical or different, with the proviso that R1 cannot be hydrogen;m is an integer from 1 to 4, preferably 3; andn is an integer from 0 to 8, preferably 2 to 4;wherein m and n can be identical or different;(b) an oxidizing agent for oxidizing the metals of the metal surface to be treated; andwherein the aqueous basic etching composition comprises a pH from 7.1 to 14.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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